制造商：STMicroelectronics
　　产品系列：M25P
　　存储容量：128 Mbit
　　存储器类型：Flash
　　接口类型：SPI
　　时钟频率：75 MHz
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装/外壳：8-SOIC
　　写保护功能：支持
　　页面编程时间：典型值1.4ms
　　扇区擦除时间：典型值600ms
　　芯片整体擦除时间：典型值35秒
　　待机电流：1 μA（最大值）
　　编程电流：20 mA（典型值）
　　读取电流：20 mA（典型值，75MHz）

M25P128-VMF6PB具备多项先进的电气与功能特性，使其在同类串行闪存器件中具有较强的竞争力。首先，它采用了高效的SPI通信协议，支持标准的三线制（SI、SO、SCK）和四线制（增加HOLD#和WP#信号）操作，并兼容高速双输出（Dual Output）和双I/O（Dual I/O）模式，显著提升了数据吞吐率。在读取性能方面，该芯片支持“快速读取”命令，可在75 MHz时钟下实现高达75 Mbps的数据速率，远高于传统并行闪存以外的多数串行设备。
　　其次，该芯片的耐久性和数据保持能力表现优异。每个存储单元可承受多达10万次的擦写周期，确保长期频繁使用的可靠性；同时，数据保存时间可达20年以上，适合长期归档类应用。片内集成了状态寄存器，用户可通过读取状态寄存器来监控设备忙闲状态、写使能状态、保护区域设置等关键信息，从而实现精确的控制逻辑。
　　再者，M25P128提供多层次的写保护机制。除了通过软件指令启用顶部/底部扇区保护外，还可利用WP#引脚实现硬件写保护，防止在电源不稳定或系统异常重启期间发生意外写入。此外，状态寄存器中的锁定位（LB）可用于永久性锁定配置，增强安全性。芯片还支持上电复位检测和自动状态恢复机制，在电源波动后能正确进入已知安全状态，避免非法访问或损坏数据。
　　最后，该器件在功耗管理方面表现出色。正常工作模式下的读取电流仅为20 mA左右，而在掉电模式（Deep Power-down Mode）下，电流消耗可低至1 μA以下，非常适合电池供电或对能耗敏感的应用环境。所有操作均通过标准化命令集执行，完全兼容JEDEC关于SPI闪存的通用规范，便于移植和开发。

M25P128-VMF6PB广泛应用于多个领域，尤其适合需要可靠、高速、大容量串行数据存储的嵌入式系统。在工业自动化控制系统中，常用于存储固件程序、设备配置参数、运行日志及校准数据，因其具备宽温特性和抗干扰能力强的特点，可在恶劣环境中稳定运行。在网络通信设备如路由器、交换机和光模块中，该芯片用于存放启动代码（Boot Code）、操作系统镜像以及设备标识信息，其快速读取能力有助于缩短系统启动时间。
　　在消费类电子产品方面，M25P128被应用于数字电视、机顶盒、智能音箱、家用摄像头等设备中，用于存储UI资源、音频视频配置文件或升级固件。由于其SPI接口引脚少、布线简单，有助于缩小PCB面积，降低制造成本，特别适合空间受限的设计。在汽车电子领域，虽然该型号非AEC-Q100认证，但仍可用于车载信息娱乐系统的非关键模块中，例如辅助显示屏控制器或后排多媒体终端。
　　此外，在医疗仪器、测试测量设备和物联网网关中，该芯片也发挥着重要作用。例如，在便携式医疗设备中用于记录患者历史数据或设备使用记录；在IoT节点中作为边缘缓存存储传感器采集的大批量原始数据，待网络连接恢复后再上传云端。其高可靠性与长寿命特性使得系统维护周期延长，整体拥有成本降低。结合外部微控制器或SoC的XIP（eXecute In Place）功能，甚至可以直接从该芯片执行代码，进一步简化系统架构。

MX25L12833FZNI-12G
　　S25FL128SAGBHI20
　　W25Q128JVSIQ