类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：-60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：-5A
　　最大功率耗散(Pd)：30W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为0.85Ω @ Vgs = -10V
　　栅极电荷(Qg)：典型值为12nC
　　输入电容(Ciss)：典型值为430pF
　　输出电容(Coss)：典型值为90pF
　　反向传输电容(Crss)：典型值为20pF

2SJ460-A具有多项优秀的电气和热性能，使其在多种功率应用中表现出色。
　　首先，它的最大漏源电压为-60V，能够承受较高的电压应力，适用于中高功率的电路设计。其最大连续漏极电流为-5A，确保在较高电流条件下仍能稳定工作。
　　该MOSFET的导通电阻（Rds(on)）典型值为0.85Ω，较低的导通电阻可以减少功率损耗，提高系统的效率。此外，它的最大功率耗散为30W，结合TO-220封装的散热特性，能够有效处理热量，确保器件在高负载条件下的稳定性。
　　2SJ460-A的栅极电荷（Qg）为12nC，这一特性有助于减少开关损耗，提高开关频率下的性能。同时，输入电容（Ciss）为430pF，输出电容（Coss）为90pF，反向传输电容（Crss）为20pF，这些参数的优化设计使得MOSFET在高频开关应用中表现出良好的响应特性。
　　该器件的工作温度范围从-55°C到150°C，具有广泛的环境适应性，适用于工业和汽车电子等严苛的应用场景。其封装形式为TO-220，具有良好的机械强度和散热性能，方便在各种电路板上安装和使用。
　　综上所述，2SJ460-A凭借其高性能的电气参数和可靠的封装设计，成为许多高功率电子设备中的关键元件。

2SJ460-A因其优异的性能广泛应用于多个领域。首先，在电源管理领域，这款MOSFET常用于DC-DC转换器、电源开关和稳压电路中，能够高效处理中高功率的需求。其低导通电阻和较高的最大漏源电压使其成为电源设计中的理想选择。
　　在电机控制领域，2SJ460-A可以作为H桥电路中的功率开关，用于控制直流电机或步进电机的方向和速度。由于其能够承受较高的电压和电流，同时具备快速开关能力，因此非常适合用于电机驱动器的设计。
　　该器件也常用于电池供电设备的电源管理系统，例如便携式电子设备和电动车控制器。其低功耗和高效率的特性有助于延长电池寿命，并确保系统的稳定性。
　　此外，2SJ460-A还适用于逆变器和UPS（不间断电源）系统中，作为功率开关元件，负责将直流电转换为交流电，或者在不同电源之间进行切换。其高可靠性和良好的散热性能使其在这些高功率应用中表现出色。
　　最后，该MOSFET也可用于各种工业自动化设备和控制系统中，作为负载开关或功率放大器的关键组件。其广泛的工作温度范围和坚固的封装设计使其在严苛的工业环境中依然能够可靠运行。

2SJ460, 2SJ441, 2SJ468, 2SK2964