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SPH4018H1R0NT 发布时间 时间:2025/7/1 5:30:45 查看 阅读:7

SPH4018H1R0NT是一款高性能的N沟道增强型MOSFET,主要应用于功率转换、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用小型化封装,能够提供低导通电阻和快速开关性能,从而有效降低功耗并提升效率。
  这款MOSFET具有出色的电气特性和热性能,适用于需要高效率和高可靠性的应用场合。其典型应用场景包括适配器、充电器、DC-DC转换器以及电池管理系统等。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:26A
  导通电阻:1.0mΩ
  栅极电荷:75nC
  输入电容:1900pF
  工作结温范围:-55℃至175℃
  封装形式:TO-263

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关性能,可支持高频工作环境,降低开关损耗。
  3. 高电流承载能力,适合大功率应用。
  4. 良好的热稳定性,在极端温度条件下仍能保持稳定性能。
  5. 小型化封装设计,节省PCB空间,便于布局和散热管理。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的功率转换级。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
  3. 汽车电子系统中的负载切换和保护。
  4. 通信设备中的高效DC-DC转换模块。
  5. 工业自动化设备中的功率控制单元。
  6. 笔记本电脑和手机充电器中的同步整流电路。

替代型号

IRF3710, FDP5800, AO66002

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SPH4018H1R0NT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥1.67012卷带(TR)
  • 系列SPH
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 类型鼓芯,绕线式
  • 材料 - 磁芯铁氧体
  • 电感1 μH
  • 容差±30%
  • 额定电流(安培)3.2 A
  • 电流 - 饱和 (Isat)4A
  • 屏蔽屏蔽
  • DC 电阻 (DCR)32 毫欧最大
  • 不同频率时 Q 值-
  • 频率 - 自谐振-
  • 等级-
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 电感频率 - 测试100 kHz
  • 特性-
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳非标准
  • 供应商器件封装-
  • 大小 / 尺寸0.157" 长 x 0.157" 宽(4.00mm x 4.00mm)
  • 高度 - 安装(最大值)0.071"(1.80mm)