2SK2254-01L 是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等电子电路中。该器件采用小型封装设计,适用于需要高效率和紧凑空间布局的便携式电子产品。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):500mA
功耗(Pd):200mW
工作温度范围:-55°C 至 150°C
存储温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:SOT-23
2SK2254-01L MOSFET具备低导通电阻(Rds(on))的特性,能够在低电压条件下实现高效的电流传输,从而降低功耗和发热。其快速开关特性使其非常适合用于高频开关电路。此外,该器件具有良好的热稳定性,能够在较高温度环境下稳定工作。
该MOSFET采用SOT-23封装,体积小巧,便于在高密度PCB布局中使用。同时,其±20V的栅源电压耐受能力提供了更高的设计灵活性和抗干扰能力。
该器件还具有良好的抗静电能力,符合JEDEC标准的ESD耐受要求,确保在制造和使用过程中不易受到静电损坏。
2SK2254-01L MOSFET常用于各种便携式电子产品中的电源管理电路,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备等。在DC-DC转换器中,该器件可用于升压或降压电路,实现高效的电压转换。此外,它也可作为负载开关用于控制外围设备的电源供应,或在电机驱动电路中作为开关元件使用。
由于其小型封装和高性能特性,2SK2254-01L也非常适合用于传感器接口电路、LED驱动电路以及电池管理系统等应用场景。
2SK2254, 2SK3018, 2N7002, FDV301N