时间：2025/9/6 17:56:52
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HN482764G3是一款由Hynix（现为SK Hynix）制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。它被设计用于需要高性能存储解决方案的应用场景，例如计算机系统、嵌入式设备、工业控制设备等。这款芯片提供了一定容量的高速数据存储能力，适用于需要频繁数据读写的场合。
容量：4Mbit
组织方式：256K x 16
工作电压：3.3V
封装类型：TSOP
数据传输速率：10ns
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
接口类型：并行接口
HN482764G3芯片具有高速数据访问能力，支持快速的读写操作，适用于对实时性要求较高的应用。其采用的TSOP封装技术使得芯片体积较小，适合高密度PCB布局。
此外，该芯片的低功耗设计在保证性能的同时减少了能耗，这对于便携式设备和嵌入式系统尤为重要。工业级的工作温度范围确保其在恶劣环境下也能稳定运行，增强了产品的可靠性。
该芯片的并行接口设计允许直接与处理器或其他控制器连接，简化了系统架构并提高了数据传输效率。同时，它具备较好的兼容性，能够与多种平台和系统集成。
HN482764G3通常被用于需要中等容量高速存储的设备中，例如：工业控制系统、通信设备、网络设备、测试仪器、嵌入式系统、视频处理设备。这些应用领域通常需要稳定可靠的存储解决方案来支持实时数据处理和高速缓存功能。
ISSI IS42S16400J-6T、Micron MT48LC16M16A2B4-6A、Alliance AS48C16M16A2B4-6A
