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VT6K1T2CR 发布时间 时间:2025/12/25 10:32:50 查看 阅读:10

VT6K1T2CR是一款由Vishay Siliconix生产的瞬态电压抑制二极管(TVS Diode),主要用于电路中的过压保护。该器件属于表面贴装型(SMA封装),适用于需要快速响应和高可靠性保护的应用场景。VT6K1T2CR能够有效吸收瞬态能量,如静电放电(ESD)、雷击感应脉冲以及其他突发性电压浪涌,从而保护敏感电子元件免受损坏。其设计符合RoHS环保标准,并具备优良的热稳定性和长期可靠性。该TVS二极管采用单向击穿结构,在正常工作电压下呈现高阻抗状态,当电压超过击穿阈值时迅速转入低阻抗导通模式,将多余电流泄放到地,限制负载端电压上升。这种特性使其广泛应用于通信设备、消费类电子产品、工业控制系统以及汽车电子等领域中对电源线或信号线进行箝位保护。此外,VT6K1T2CR具有较低的动态电阻和寄生电容,适合用于高速数据线路防护,同时保持信号完整性不受影响。

参数

类型:单向TVS二极管
  封装/外壳:SMA(DO-214AC)
  反向工作电压(VRWM):6.8 V
  击穿电压(VBR):7.56 V @ 1 mA
  最大钳位电压(VC):10.5 V @ 38.1 A
  峰值脉冲功率(PPPM):600 W
  峰值脉冲电流(IPP):38.1 A
  最大反向漏电流(IR):5 μA
  响应时间:皮秒级
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

VT6K1T2CR具备卓越的瞬态过压保护能力,能够在极短时间内响应高达600W的峰值脉冲功率,适用于多种严苛环境下的电路防护需求。其核心优势在于快速响应特性和稳定的钳位性能,得益于先进的半导体工艺,该TVS二极管在遭遇瞬态高压事件时可在皮秒级时间内从高阻态切换至低阻态,有效抑制电压尖峰传播至后级电路。这一特性对于防止静电放电(ESD)造成的数字逻辑芯片损坏尤为重要,尤其是在USB接口、HDMI端口、网口等高频信号通道中表现优异。此外,VT6K1T2CR的低动态电阻确保了在大电流泄放过程中钳位电压不会显著升高,从而为下游器件提供更可靠的电压限幅保护。
  该器件采用SMA表面贴装封装,体积小巧,便于自动化贴片生产,适合现代紧凑型电子产品布局。其机械强度高,焊接可靠性好,可承受多次热循环而不影响电气性能。材料方面符合无卤素和RoHS指令要求,支持绿色环保制造流程。在长期运行中,VT6K1T2CR展现出良好的老化稳定性,反向漏电流随时间变化极小,避免因漏电增加导致系统功耗异常或误触发问题。同时,它能在-55°C至+150°C的宽温范围内稳定工作,适应极端高低温应用场景,如汽车引擎舱附近电子模块或户外通信基站设备。这些综合特性使得VT6K1T2CR成为工业级和汽车级电子系统中理想的过压保护解决方案之一。

应用

VT6K1T2CR常用于各类电子系统的电源轨和信号线路保护,典型应用场景包括直流电源输入端的浪涌防护,例如在机顶盒、路由器、智能仪表等设备中抵御来自适配器或电池回路的电压突波。在通信领域,它被广泛部署于RS-232、CAN总线、I2C、SPI等接口线上,防范因电缆感应或接地反弹引起的瞬态干扰。此外,在便携式消费电子产品如智能手机和平板电脑中,VT6K1T2CR可用于保护摄像头模组、显示屏驱动线路及充电管理IC免受人为ESD冲击。汽车电子系统中,该器件适用于车身控制模块、车载信息娱乐系统和传感器供电线路的瞬态抑制,满足ISO 7637-2和IEC 61000-4-2等电磁兼容性标准测试要求。工业自动化设备中的PLC输入输出端口、电机驱动反馈信号线也常采用此类TVS进行鲁棒性增强。由于其低电容特性,VT6K1T2CR还可用于高速差分信号路径,如USB 2.0数据线保护,既能实现有效箝位又不显著劣化信号质量。

替代型号

[
   "SMBJ6.8A",
   "P6KE6.8A",
   "TPSMA6.8A",
   "SA7.0A",
   "ESD9L5.0ST5G"
  ]

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VT6K1T2CR参数

  • 现有数量7,399现货
  • 价格1 : ¥3.34000剪切带(CT)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态最后售卖
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 配置2 N-通道(双)
  • FET 功能逻辑电平栅极,1.2V 驱动
  • 漏源电压(Vdss)20V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)100mA
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3.5 欧姆 @ 100mA,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 100μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)-
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)7.1pF @ 10V
  • 功率 - 最大值120mW
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳6-SMD,扁平引线
  • 供应商器件封装VMT6