时间：2025/11/4 6:59:10
阅读：26
FM16W08-SGTR是一款由复旦微电子集团推出的8K位串行铁电存储器（F-RAM），采用I2C总线接口，具有高速读写、高可靠性以及超低功耗等特性。该芯片结合了RAM的读写速度和ROM的数据非易失性，属于非易失性存储器的一种创新解决方案。FM16W08-SGTR内部组织结构为1024字节（即8192位），每字节可独立寻址，支持标准I2C协议，兼容多种主控设备。其核心存储介质采用铁电电容技术，取代传统EEPROM中的浮栅结构，从而实现几乎无限次的读写操作，并显著提升写入速度与耐久性。该器件广泛应用于需要频繁写入、数据实时保存且对寿命要求较高的工业控制、智能仪表、医疗设备、汽车电子及物联网终端等领域。
FM16W08-SGTR采用SOP-8小型封装，工作电压范围宽（2.7V至3.6V），可在工业级温度范围（-40°C至+85°C）内稳定运行，适合严苛环境下的应用需求。此外，该芯片内置写保护机制，通过硬件WP引脚或软件写保护命令防止误操作导致的数据篡改，提升了系统安全性。由于无需等待写入周期，用户可以在任意时刻立即进行下一次访问，极大提高了系统响应效率。相比传统EEPROM，FM16W08-SGTR在写入寿命上可达10^14次以上，远超普通EEPROM的10^5~10^6次限制，有效延长了设备使用寿命并降低了维护成本。
型号：FM16W08-SGTR
类型：铁电存储器（F-RAM）
容量：8Kbit (1024 x 8)
接口类型：I2C 串行接口
工作电压：2.7V ~ 3.6V
通信速率：最高支持400kHz（标准模式）和1MHz（快速模式）
工作温度：-40°C ~ +85°C
封装形式：SOP-8
写入耐久性：> 10^14 次读/写
数据保持时间：≥ 10年（断电状态下）
写入时间：无延迟写入（零待机时间）
写保护功能：支持硬件WP引脚和软件写保护
器件地址：可通过A0-A2引脚配置，允许多达8个设备挂载同一总线
FM16W08-SGTR的核心优势在于其基于铁电技术的存储单元设计，使其兼具RAM的高速写入能力和ROM的非易失性特点。传统的EEPROM或Flash存储器在写入时需要较长的编程时间和高电压操作，且存在有限的擦写次数限制，而FM16W08-SGTR利用铁电材料的极化特性，在常规供电电压下即可完成数据写入，无需额外的充电泵电路，因此实现了真正的“即时写入”能力。这意味着每一次数据写入操作都不会引入延迟，避免了因写入等待而导致主控处理器阻塞的问题，特别适用于采集频率高、数据变化频繁的应用场景，如传感器数据记录、电表脉冲计数、PLC状态保存等。
该芯片具备卓越的耐久性能，标称可承受超过10^14次的读写循环，是普通EEPROM寿命的百万倍以上。这一特性使得它能够在极端使用条件下长期运行而不发生存储单元老化失效，极大提升了系统的可靠性和维护周期。同时，由于铁电存储器无需像Flash那样进行块擦除操作，每个字节均可独立修改，进一步增强了使用的灵活性。在功耗方面，FM16W08-SGTR在主动读写时电流仅为几百微安级别，待机电流更低至几微安，非常适合电池供电或能量受限的嵌入式系统。
此外，FM16W08-SGTR完全兼容标准I2C协议，支持多设备共用总线，通过A0-A2地址引脚可灵活设置器件地址，最多允许8片相同型号芯片并联使用，便于系统扩展。其内置的数据保持机制确保即使在突然断电的情况下，已写入的数据也不会丢失，配合外部备用电源或超级电容可实现毫秒级数据安全保存。整体来看，FM16W08-SGTR是一款集高性能、高可靠性与低功耗于一体的先进非易失性存储解决方案，能够满足现代智能设备对数据完整性与实时性的严苛要求。
FM16W08-SGTR广泛应用于各类需要高频次数据写入与长期数据保存的电子系统中。典型应用场景包括工业自动化控制系统中的参数配置与运行日志存储，例如PLC控制器、变频器、远程IO模块等设备，这些系统通常要求在每次状态变更时立即保存关键信息，以防止掉电后数据丢失。在智能计量领域，如智能水表、电表、气表中，FM16W08-SGTR可用于记录累计用量、事件日志和校准参数，因其无需写入延时，能准确捕捉每一个脉冲信号，避免数据遗漏。
在医疗电子设备中，如便携式监护仪、血糖仪、输液泵等，该芯片用于保存患者设置、操作历史和故障代码，保障数据的安全性与连续性。汽车电子方面，可用于车载记录仪、ECU配置存储、防盗系统密钥保存等场合，适应宽温与振动环境。此外，在消费类电子产品如POS机、打印机、智能家居网关中，FM16W08-SGTR也常被用来替代传统EEPROM，提升系统响应速度和耐用性。由于其支持I2C接口且封装小巧，易于集成到紧凑型PCB设计中，成为众多嵌入式开发者优选的非易失性存储方案。
CY15B104,QY15W08,FM24C04
