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M11L60 发布时间 时间:2025/9/3 11:39:22 查看 阅读:4

M11L60是一款由Microsemi(现为Microchip Technology)生产的N沟道功率MOSFET。该器件专为高效率功率转换应用而设计,适用于诸如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等场景。M11L60具有低导通电阻、高耐压能力以及优异的热性能,使其在高功率密度和高可靠性要求的应用中表现出色。这款MOSFET通常采用TO-220或D2PAK等封装形式,便于散热和安装。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):600V
  连续漏极电流(ID)@25°C:11A
  导通电阻(RDS(on)):最大值0.36Ω(典型值可能为0.28Ω)
  栅极阈值电压(VGS(th)):2V至4V(典型值为2.5V)
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:TO-220、D2PAK
  功率耗散(PD):125W(在25°C下)
  漏源击穿电压(BVDSS):600V
  栅极电荷(Qg):典型值为35nC
  反向恢复时间(trr):未指定(适用于非快速恢复应用)

特性

M11L60具有多个关键特性,使其适用于多种功率电子系统。首先,它的高耐压能力(600V)使其适用于高电压输入环境,如工业电源和AC-DC转换器。其次,低导通电阻(RDS(on))减少了导通状态下的功率损耗,提高了整体效率,这对于高能效设计至关重要。
  该器件的11A额定电流能力使其能够处理中高功率负载,适用于电机驱动和电源管理系统。M11L60的栅极阈值电压较低,通常在2.5V左右,这使得它易于与常见的PWM控制器或微控制器配合使用,简化了驱动电路设计。
  此外,M11L60具备优异的热稳定性,能够在高温环境下稳定运行,适合工业级和汽车电子应用。其封装形式(如TO-220和D2PAK)提供了良好的散热性能,并支持快速安装在散热片上,确保长期可靠运行。
  由于其高耐用性和热保护特性,M11L60在过载或短路情况下也能保持一定程度的鲁棒性,降低了系统故障率。

应用

M11L60广泛应用于多个功率电子领域。在电源管理方面,它常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和AC-DC整流电路,实现高效率的能量转换。在工业自动化系统中,M11L60可用于电机控制、继电器驱动和负载开关,提供稳定可靠的开关控制。
  此外,该MOSFET也适用于太阳能逆变器、UPS不间断电源以及电动车充电模块等新能源领域。在这些应用中,M11L60的高耐压和低导通电阻特性有助于提升系统效率并降低热量损耗。
  在汽车电子方面,M11L60可用于车载充电器、电动助力转向系统(EPS)和电池管理系统(BMS)等场景。其宽温度范围和高可靠性确保其在严苛环境下的稳定运行。

替代型号

STP12NM60ND, FQA13N60C, IRFBC40, FDPF6N60

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