时间：2025/9/14 20:15:55
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PSMN1R1-30PL,127 是由Nexperia（安世半导体）生产的一款高性能功率MOSFET，采用TrenchMOS技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高功率密度，适用于需要高效能和低损耗的功率管理应用。该器件采用LFPAK56封装，具有良好的热性能和电流承载能力。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
连续漏极电流（Id）：120A
导通电阻（Rds(on)）：1.1mΩ @ Vgs=10V
栅极电压（Vgs）：±20V
最大工作温度：175°C
封装形式：LFPAK56
PSMN1R1-30PL,127 是一款基于Nexperia先进的TrenchMOS技术的功率MOSFET，其主要特性之一是超低导通电阻，仅为1.1毫欧姆（典型值），这使得器件在高电流工作条件下能够显著降低导通损耗，提高整体能效。该MOSFET的漏源电压额定值为30V，适用于中低压功率转换系统，如DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电源管理系统。
该器件的最大连续漏极电流可达120A，在高电流负载应用中表现出色。此外，其最大栅极电压为±20V，支持稳定的栅极控制，避免因过电压导致的误触发或损坏。PSMN1R1-30PL,127 采用LFPAK56封装，该封装具有优异的热传导性能和高可靠性，适合在高温环境下运行，同时支持表面贴装工艺（SMT），便于自动化生产。
此MOSFET的工作温度范围可达到175°C，具备出色的热稳定性，适用于对散热要求较高的高功率密度设计。其低Rds(on)、高电流能力和紧凑封装使其成为电源管理和负载开关应用的理想选择。
PSMN1R1-30PL,127 适用于多种高功率电子系统，广泛用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、电源分配系统以及汽车电子应用。其低导通电阻和高电流能力使其在高效能电源转换系统中表现优异，例如服务器电源、电信设备电源、工业自动化控制系统和新能源设备。此外，由于其LFPAK56封装具备优异的热管理能力，该器件也适用于空间受限但需要高功率输出的设计，如笔记本电脑、平板电脑和便携式电源设备。
PSMN0R9-30PL,127; PSMN1R4-30PL,127; PSMN2R8-30PL,127
