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NSS60600MZ4T3G 发布时间 时间:2025/8/2 7:28:37 查看 阅读:22

NSS60600MZ4T3G是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),主要用于高功率开关和放大应用。该晶体管采用NPN结构,具有较高的电流和电压承受能力,适用于工业控制、电源转换以及电机驱动等场景。该器件采用TO-252(DPAK)封装,具有良好的热性能和可靠性。

参数

类型:NPN双极型晶体管
  最大集电极-发射极电压(VCEO):60V
  最大集电极电流(IC):6A
  最大功耗(PD):40W
  电流增益(hFE):在IC=2A, VCE=2V时,典型值为100(根据等级不同有所变化)
  最大工作温度:150°C
  封装类型:TO-252(DPAK)

特性

NSS60600MZ4T3G具有出色的高电流处理能力,其最大集电极电流可达6A,使其适用于高功率需求的应用场景。
  该晶体管采用TO-252封装,具有良好的散热性能,确保在高功率操作下仍能保持稳定的工作状态。
  器件的VCEO为60V,使其能够在中高电压应用中可靠运行。
  其hFE参数在2A集电极电流条件下可达100以上,提供良好的电流放大能力,适用于需要高增益的电路设计。
  此外,该晶体管具有较低的饱和电压(VCE(sat)),有助于降低导通损耗,提高整体能效。
  器件的制造工艺符合AEC-Q101标准,适合用于汽车电子系统等高可靠性要求的应用场景。

应用

NSS60600MZ4T3G常用于电源开关电路、电机驱动器、逆变器和DC-DC转换器等功率电子设备中。
  其高电流和中等电压能力使其适用于各种工业自动化控制电路,如继电器驱动和高功率LED照明控制。
  此外,该晶体管也广泛应用于汽车电子系统,如电动座椅、车窗控制和风扇驱动等场合。
  在音频放大器设计中,该晶体管也可用于功率放大级,提供较大的输出功率和良好的线性度。

替代型号

[
   "TIP122",
   "BD679",
   "MJF6601",
   "STT6N60M5"
  ]

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NSS60600MZ4T3G参数

  • 产品培训模块Low Vce(sat) BJT Power Savings
  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)6A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)60V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)350mV @ 600mA,6A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)120 @ 1A,2V
  • 功率 - 最大800mW
  • 频率 - 转换100MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)