时间：2025/6/26 21:54:40
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ST7VFHN102 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高压垂直 N 沟道 MOSFET。该器件采用 ST 的先进工艺制造，具有高效率和高可靠性的特点，非常适合用于开关电源、电机驱动、工业控制和其他需要高效能功率管理的场景。
这款芯片以其低导通电阻（Rds(on)）、快速开关特性和强大的耐压能力著称，适用于各种中高压应用场合。
类型：MOSFET
极性：N-Channel
耐压：650 V
导通电阻（Rds(on)）：3.8 Ω（最大值，在特定条件下）
连续漏极电流（Id）：2 A（典型值）
栅极电荷（Qg）：20 nC（典型值）
总功耗：4 W
封装：TO-220AC
ST7VFHN102 提供了以下关键特性：
- 高电压额定值，能够承受高达 650V 的电压，确保在高压环境下稳定运行。
- 极低的导通电阻，可有效降低功率损耗并提升整体系统效率。
- 快速开关性能，有助于减少开关损耗，并支持高频操作。
- 具备出色的热稳定性，可在恶劣的工作环境中保持性能。
- 内置多种保护机制，例如过流保护和短路保护，提升了使用的安全性。
- TO-220AC 封装形式，便于散热和安装，适合多种应用场景。
ST7VFHN102 广泛应用于以下领域：
- 开关模式电源（SMPS），包括适配器、充电器等设备中的功率转换部分。
- 工业电机驱动，如家用电器中的电机控制单元。
- 照明系统，特别是 LED 驱动电路中的功率调节。
- 太阳能逆变器，用于能量转换和管理系统。
- 各种工业自动化和过程控制中的功率管理模块。
- 继电器驱动和负载切换应用。
STP7NF65, IRFZ44N
