型号：M0130RM250
　　制造商：STMicroelectronics
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：1300 V
　　最大漏极电流（Id）：1.0 A（连续）
　　脉冲漏极电流（Idm）：4.0 A
　　最大功耗（Ptot）：40 W
　　导通电阻（Rds(on)）：250 mΩ @ Vgs = 10 V
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：3.0 ~ 4.5 V
　　输入电容（Ciss）：28 pF @ Vds = 25 V
　　输出电容（Coss）：15 pF @ Vds = 25 V
　　反向恢复时间（trr）：35 ns
　　栅极电荷（Qg）：35 nC @ Vds = 1200 V
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C ~ +150 °C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6 (5x6 mm)

M0130RM250具备多项关键特性，使其成为高压开关应用中的理想选择。首先，其高达1300V的漏源击穿电压确保了在极端电压条件下仍能保持稳定运行，适用于全球通用输入电压范围内的离线式电源设计。其次，250mΩ的低导通电阻显著降低了导通损耗，提高了系统整体效率，尤其在轻载和满载工况下均表现优异。同时，该器件具有较低的栅极电荷（Qg = 35nC），这意味着驱动电路所需的能量更少，从而减少了驱动损耗并提升了开关频率能力，有利于实现更高功率密度的设计。
　　该MOSFET还具备出色的电容特性，输入电容（Ciss）仅为28pF，输出电容（Coss）为15pF，在高频开关应用中可有效降低开关损耗并减少电磁干扰（EMI）。其快速的反向恢复时间（trr = 35ns）进一步增强了与体二极管相关的开关性能，减少了交叉导通风险，特别适合用于硬开关拓扑如LLC谐振转换器或有源钳位反激式电源中。此外，器件采用先进的平面工艺制造，保证了批次间的一致性和长期可靠性。
　　热管理方面，PowerFLAT 5x6封装具有优异的热传导性能，能够通过PCB有效散热，无需额外散热片即可在40W功耗下稳定工作。器件的工作结温可达+150°C，支持高温环境下的持续运行。内置的抗雪崩能量能力也增强了其在瞬态过压情况下的鲁棒性，提升了系统安全性。综合这些特性，M0130RM250不仅满足现代能效标准（如80 PLUS Titanium），而且为设计师提供了更高的灵活性和更强的系统保护机制。

M0130RM250广泛应用于多种高电压、高效率的电源转换系统中。典型应用场景包括通信电源中的AC-DC整流模块，尤其是用于数据中心和基站供电的高效整流器，这类系统对效率、可靠性和空间利用率有极高要求。此外，该器件常用于工业级开关电源（SMPS），如激光电源、医疗设备电源和自动化控制系统中的隔离式DC-DC转换器，能够在宽输入电压范围内保持高效运行。
　　在可再生能源领域，M0130RM250被用于太阳能微型逆变器和组串式逆变器的辅助电源或主开关元件，支持光伏系统的高电压母线操作。它同样适用于LED照明驱动电源，尤其是在户外大功率LED路灯或商业照明系统中，提供稳定的高压DC-DC转换功能。另外，该器件还可用于高压DC-DC变换器拓扑，例如双有源桥（DAB）或全桥移相控制电路中作为主开关使用。
　　由于其优异的开关特性和低电磁干扰水平，M0130RM250也被推荐用于高密度电源适配器、服务器PSU的待机电源（standby rail）以及航空电子设备中的电源模块。在所有这些应用中，该器件都能帮助工程师实现更高的转换效率、更小的体积和更优的热管理方案，满足现代电子设备对节能环保和高性能的双重需求。

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　　 "STP1K130M5",
　　 "STP1NC130M5",
　　 "MD1K130M5",
　　 "M0130R2"
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