GS6267S 时间：2025/7/26 17:43:07 阅读：12

GS6267S 是由 GaN Systems 公司生产的一款氮化镓（GaN）功率晶体管，型号为 GS6267S。这款器件基于 GaN 技术，具有超低的导通电阻和开关损耗，适用于高频率和高效率的电力电子应用。GS6267S 采用增强型（e-mode）设计，确保在栅极电压为零时器件处于关闭状态，从而提高系统的可靠性。

参数

Vds（漏源电压）：650V
　　Id（漏极电流）：150A
　　Rds(on)（导通电阻）：30mΩ
　　Vgs（栅源电压）：-5V~7V
　　工作温度范围：-55°C~150°C
　　封装类型：Tabless 封装（GS-EASY 2B）

特性

GS6267S 的最大特点在于其采用 GaN（氮化镓）半导体技术，相较于传统的硅基 MOSFET 和 IGBT，GaN 器件具有更低的导通损耗和开关损耗，使其非常适合用于高频开关电源、高效能 DC-DC 转换器和 AC-DC 电源供应器。其导通电阻仅为 30mΩ，极大地降低了导通状态下的功率损耗。
　　此外，GS6267S 采用了 GaN Systems 独特的封装技术（GS-EASY 2B），该封装技术通过减少封装寄生电感和优化热管理，提高了器件的可靠性和高频性能。这种封装还支持双面散热，进一步增强器件在高功率密度应用中的散热能力。
　　GS6267S 支持高达 7V 的正向栅极电压和 -5V 的负向栅极电压，使其在开关过程中具备更高的栅极驱动灵活性。这种宽栅极电压范围有助于提高器件的抗干扰能力，并确保在复杂电磁环境中稳定运行。
　　该器件的工作温度范围从 -55°C 到 150°C，适应多种环境条件，包括工业级和汽车级应用场景。其优异的热性能和电气性能使其成为适用于电动汽车充电系统、数据中心电源、光伏逆变器、工业电机驱动器等高要求应用的理想选择。

应用

GS6267S 主要应用于需要高效率和高频率切换的电力电子系统中。例如，在电动汽车（EV）车载充电器（OBC）中，GS6267S 的低导通电阻和高频特性能够显著提升充电效率并减小系统体积。在数据中心电源和服务器电源系统中，该器件能够有效降低开关损耗，提高整体能效，满足高功率密度的需求。
　　此外，GS6267S 还适用于光伏逆变器和储能系统中的 DC-AC 转换电路，其优异的开关性能有助于提升逆变效率并减少热管理设计的复杂度。在工业电机驱动和机器人控制系统中，GS6267S 可用于高频功率转换模块，实现更高的动态响应和更小的无源元件尺寸。
　　由于其高可靠性和宽工作温度范围，GS6267S 也可用于航空航天、军事和高可靠性工业设备中的电源系统。