时间：2025/6/30 18:36:36
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SQ3481EV-T1-GE3 是一款基于 Silicon Carbide (SiC) 技术的 MOSFET 器件，主要应用于高效率功率转换领域。该器件采用了先进的沟槽式结构设计，具备低导通电阻和快速开关性能，适合工业电源、电动汽车充电设备及可再生能源系统等应用场合。
这款 SiC MOSFET 的封装形式为 TO-247-3L，具有良好的散热性能和电气连接可靠性。通过优化的芯片设计与制造工艺，SQ3481EV-T1-GE3 在高频工作条件下能够提供更高的效率和更低的能量损耗。
额定电压：1200V
额定电流：40A
导通电阻：1.6mΩ
栅极电荷：90nC
最大工作结温：175°C
封装形式：TO-247-3L
SQ3481EV-T1-GE3 具备以下显著特性：
1. 采用 SiC 材料技术，提供出色的高温稳定性和抗辐射能力。
2. 极低的导通电阻，减少导通损耗并提高系统效率。
3. 快速开关速度，降低开关损耗并支持高频操作。
4. 高耐压能力（1200V），适用于多种高压应用场景。
5. 良好的热性能，确保在高功率密度环境下的可靠运行。
6. 支持宽范围的工作温度，满足严苛的工业环境要求。
SQ3481EV-T1-GE3 主要用于以下应用领域：
1. 工业电机驱动器和变频器中的功率转换模块。
2. 高效 DC-DC 和 AC-DC 电源转换系统。
3. 新能源汽车充电桩的核心功率组件。
4. 太阳能逆变器及其他可再生能源发电系统的功率调节单元。
5. 不间断电源（UPS）和其他高性能电源设备。
6. 高功率 LED 驱动和电力电子系统中的关键功率器件。
SQ3480EV-T1-GE3
SQ3482EV-T1-GE3
CSD18540KCS
FSC040N12AG
