时间：2025/8/13 15:16:05
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LUR150是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效能和低导通电阻的电源管理系统中。该器件采用先进的技术，确保了在高电流条件下依然具备良好的性能和稳定性。LUR150主要设计用于汽车电子、工业控制、电机驱动及电源转换等应用场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：150A
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为3.2mΩ（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
LUR150 MOSFET具有极低的导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。该器件在高电流条件下表现出色，能够承受高达150A的连续漏极电流，使其适用于大功率应用。此外，LUR150具备出色的热稳定性，能够在极端温度下可靠工作，这得益于其优化的封装设计和先进的晶圆技术。
该器件还具备良好的抗雪崩能力，能够在过载或短路条件下提供额外的保护。LUR150的栅极驱动电压范围较宽，支持在不同的驱动条件下稳定工作，这使得其在各种应用中具有高度的灵活性。
由于其优异的电气性能和高可靠性，LUR150非常适合用于高要求的工业和汽车应用，例如直流电机控制、电源转换器、电池管理系统和负载开关等场景。
LUR150常用于汽车电子系统，如电动车窗、座椅调节器和车载充电器等；在工业领域，LUR150适用于电机驱动器、变频器和电源模块等设备。此外，该MOSFET也广泛应用于高效电源管理解决方案，如DC-DC转换器、负载开关和高功率LED驱动器。
STL150N3LLF
