类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压 VDS：40V
　　栅源电压 VGS：±20V
　　连续漏极电流 ID：3.3A
　　导通电阻 RDS(on)：最大 42mΩ @ VGS = 10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TSOP
　　安装方式：表面贴装

LTL42NKRT MOSFET 的主要特性之一是其较低的导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高整体系统效率。在高电流应用中，这种低 RDS(on) 特性尤为重要，因为它可以减少热量的产生，从而提高系统的稳定性和可靠性。此外，该器件具有较高的栅极击穿电压（±20V），使得其在面对瞬态电压波动时依然能够保持稳定的工作状态。
　　LTL42NKRT 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，这种技术可以实现更高的电流密度，从而在更小的封装尺寸下提供出色的电气性能。其 40V 的漏源电压额定值适用于多种中低电压功率转换应用，如同步整流、电池充电和负载开关等。
　　该 MOSFET 还具备良好的热稳定性和快速的开关特性，有助于减少开关损耗并提升高频应用中的性能。其 TSOP 封装形式不仅体积小巧，还具备良好的散热性能，适用于空间受限的设计场景。此外，LTL42NKRT 具备宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +150°C），能够在各种恶劣环境条件下稳定运行。

LTL42NKRT 主要用于各类功率管理与转换电路中。例如，在 DC-DC 转换器中，它可以作为主开关元件或同步整流器，帮助实现高效率的电压转换。它也常用于电池管理系统（BMS）中，作为负载开关或保护开关，控制电池的充放电路径。在电机控制应用中，该器件可以用于驱动小型直流电机或步进电机，提供快速响应和精确控制。
　　此外，LTL42NKRT 还适用于各种电源管理模块、电源适配器、LED 驱动电路以及便携式电子设备中的功率控制部分。其表面贴装封装形式使其非常适合用于自动化生产和高密度 PCB 设计，尤其适合空间受限但对性能有较高要求的消费类电子产品和工业控制系统。

Si4410BDY-T1-GE3, FDS4410A, FDS4410AS, IRF7404, AO4406