时间：2025/7/1 14:08:49
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FN15N2R2B500PNG是一种高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于需要高电压和高效率的场景。该器件采用N沟道增强型技术，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合用于电源管理、电机驱动以及工业控制等领域。
这款芯片设计为表面贴装封装（SMD），具体为PQFN封装形式，能够有效减少寄生电感并提高散热性能。其高耐压能力使其在各种恶劣环境下仍能保持稳定的性能。
最大漏源电压：500V
持续漏极电流：15A
导通电阻：2.2mΩ
栅极电荷：35nC
总电容：1800pF
工作结温范围：-55℃至+175℃
FN15N2R2B500PNG具备以下显著特点：
1. 高耐压能力（500V）使得它非常适合高压应用环境，如工业电源和电动工具。
2. 极低的导通电阻（2.2mΩ）降低了功率损耗，提高了整体效率。
3. 快速开关特性源于较小的栅极电荷（35nC），可实现高频操作。
4. PQFN封装形式有助于改善热管理和简化PCB布局。
5. 广泛的工作温度范围（-55℃至+175℃）确保了在极端条件下的可靠性。
6. 具备ESD保护功能以增强抗静电能力。
该电子元器件广泛适用于多种领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. 电动车辆中的电机驱动电路。
3. 太阳能逆变器的关键组件之一，用于DC-AC转换。
4. 各种工业自动化设备中的负载切换和控制。
5. LED照明系统的驱动电路设计。
6. 电池管理系统（BMS）中用作保护和充放电控制。
IRFP250N
FDP15N50
STP15NB50E
