SKT25F04 时间：2025/8/22 23:49:03 阅读：23

SKT25F04是一款由SK科技公司制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专门设计用于高效率、高频率的开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，具有较低的导通电阻和快速的开关特性，使其在电源转换系统中表现优异。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：25A
　　最大漏源电压：40V
　　导通电阻（Rds(on)）：30mΩ（最大）
　　栅极电荷（Qg）：17nC
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装类型：TO-263（D2Pak）

特性

SKT25F04采用了先进的沟槽式MOSFET技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。该器件的低栅极电荷特性有助于加快开关速度，减少开关损耗，适用于高频开关应用。此外，SKT25F04具有较高的热稳定性，能够在恶劣的工作环境下保持良好的性能。
　　这款MOSFET的封装采用TO-263形式，具备良好的散热性能，适合高功率密度的设计需求。其低导通电阻和快速开关特性使得该器件在DC-DC转换器、同步整流器、电机控制和负载开关等应用中表现出色。