SKT25F04是一款由SK科技公司制造的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专门设计用于高效率、高频率的开关应用。该器件采用先进的沟槽技术,具有较低的导通电阻和快速的开关特性,使其在电源转换系统中表现优异。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流:25A
最大漏源电压:40V
导通电阻(Rds(on)):30mΩ(最大)
栅极电荷(Qg):17nC
工作温度范围:-55°C至+175°C
封装类型:TO-263(D2Pak)
SKT25F04采用了先进的沟槽式MOSFET技术,显著降低了导通电阻,从而减少了导通损耗,提高了系统效率。该器件的低栅极电荷特性有助于加快开关速度,减少开关损耗,适用于高频开关应用。此外,SKT25F04具有较高的热稳定性,能够在恶劣的工作环境下保持良好的性能。
这款MOSFET的封装采用TO-263形式,具备良好的散热性能,适合高功率密度的设计需求。其低导通电阻和快速开关特性使得该器件在DC-DC转换器、同步整流器、电机控制和负载开关等应用中表现出色。
SKT25F04广泛应用于各类电力电子设备中,包括但不限于DC-DC转换器、电源管理模块、电池充电器、电机驱动器、同步整流电路以及工业控制系统。其高效的能量转换能力和稳定的性能使其成为高频率、高效率电源设计的理想选择。
Si4410BDY, IRF3710, FDP2536