LTL42NKRKNN 时间：2025/9/6 7:52:24 阅读：2

LTL42NKRKNN是一款由STMicroelectronics制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高频率开关应用设计，具有低导通电阻、高电流容量和优异的热性能。LTL42NKRKNN通常用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统以及各类工业和汽车电子应用中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：40V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：180A（在Tc=25°C时）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大2.9mΩ（典型值为2.3mΩ，Vgs=10V）
　　封装形式：PowerFLAT 5x6
　　工作温度范围：-55°C至175°C

特性

LTL42NKRKNN的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。
　　此外，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供更高的电流密度和更优的开关性能。
　　该MOSFET的封装形式为PowerFLAT 5x6，具有较小的封装尺寸，适合空间受限的应用场合，同时具备良好的散热能力。
　　它还具有高雪崩耐量和强大的短路承受能力，适用于需要高可靠性的工业和汽车电子系统。
　　此外，LTL42NKRKNN的栅极驱动电压范围较宽，支持与多种类型的驱动电路兼容，便于设计和应用。
　　该器件符合RoHS环保标准，无卤素，适用于环保要求较高的项目。

应用

LTL42NKRKNN广泛应用于各类高功率密度和高效率要求的电子系统中。
　　主要应用包括同步整流DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、服务器电源、电信电源系统、汽车电子系统如车载充电器（OBC）和48V轻混系统等。
　　由于其优异的导通特性和热性能，该MOSFET非常适合用于高电流、高频开关的电源管理电路中。
　　此外，它也可用于工业自动化设备、UPS不间断电源系统、储能系统以及高功率LED照明驱动电路中。
　　在汽车电子领域，LTL42NKRKNN常用于车载逆变器、电动助力转向系统（EPS）、电动空调压缩机控制模块等应用场合。