您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > W25Q512JVEIQ TR

W25Q512JVEIQ TR 发布时间 时间:2025/8/20 8:16:28 查看 阅读:16

W25Q512JVEIQ TR 是 Winbond 公司生产的一款高性能、低功耗的串行闪存芯片(Serial Flash),容量为512Mbit(即64MB),采用标准的SPI(Serial Peripheral Interface)接口进行通信。该芯片广泛应用于需要大容量非易失性存储的嵌入式系统、工业控制设备、消费类电子产品以及物联网设备中。W25Q512JVEIQ TR 支持多种工作电压范围,具备高可靠性,支持擦写次数高达100,000次,数据保留时间长达20年。

参数

容量:512Mbit(64MB)
  接口类型:SPI(最大频率可达104MHz)
  工作电压:2.3V~3.6V 或 1.65V~1.95V(Dual Supply)
  读取电流:10mA(典型值)
  待机电流:5μA(典型值)
  擦写次数:100,000次
  数据保持时间:20年
  封装形式:8-Pin SOIC
  温度范围:-40°C ~ +85°C

特性

W25Q512JVEIQ TR 以其高性能和低功耗设计而著称,特别适用于对存储容量和稳定性要求较高的应用场景。该芯片支持标准SPI、Dual SPI、Quad SPI等多种通信模式,显著提高了数据传输速率。此外,它具备硬件和软件写保护功能,能够有效防止误写入和数据损坏。芯片内部集成了页编程(Page Program)和扇区擦除(Sector Erase)功能,支持灵活的存储管理。W25Q512JVEIQ TR 的工作电压支持双电源供电模式,适用于多种供电环境,同时具备良好的抗干扰能力和宽温工作范围,适合工业级应用需求。
  此外,该芯片支持JEDEC标准的ID读取,便于系统识别和兼容性配置。其SPI接口与大多数主控器兼容,简化了硬件设计和软件开发流程。W25Q512JVEIQ TR 还支持高速连续读取模式,适用于需要快速访问大量数据的应用场景,例如固件存储、图形缓存、数据记录等。

应用

W25Q512JVEIQ TR 常用于需要大容量非易失性存储的嵌入式系统中,例如WiFi模块、蓝牙模块、ZigBee通信设备、传感器节点等物联网终端设备。此外,它也广泛应用于工业控制设备中的程序存储和数据备份,消费类电子产品如智能手表、智能音箱、穿戴设备等的数据存储模块。在汽车电子领域,该芯片可用于车载信息娱乐系统、行车记录仪等设备的代码和配置存储。由于其高可靠性和宽温工作特性,也非常适合用于户外设备和工业现场的恶劣环境中。在开发板和评估系统中,W25Q512JVEIQ TR 也是常见的SPI Flash选型之一。

替代型号

ISSI: IS25LP512M, Macronix: MX25U51245G, GigaDevice: GD25Q512C

W25Q512JVEIQ TR推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

W25Q512JVEIQ TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥38.39803卷带(TR)
  • 系列SpiFlash?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量512Mb
  • 存储器组织64M x 8
  • 存储器接口SPI - 四 I/O
  • 时钟频率133 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-WDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装8-WSON(8x6)