类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大漏极电流（Id）：30A（Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：5.3mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：180W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
　　封装类型：TO-220
　　栅极电荷（Qg）：75nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：1800pF（典型值）

LTL4251N的主要特性之一是其非常低的导通电阻（Rds(on)），仅为5.3mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。此外，该器件能够承受高达100V的漏源电压，适用于多种中压应用，如电源适配器、电池充电器和工业控制设备。
　　该MOSFET的最大连续漏极电流可达30A，在良好的散热条件下可以支持高负载操作。其高功率耗散能力（180W）使其在高电流应用中具备良好的热稳定性，减少了额外散热措施的需求。
　　LTL4251N的栅极驱动电压范围为±20V，通常在Vgs=10V时即可实现完全导通。其栅极电荷（Qg）为75nC，属于中等水平，适合使用标准MOSFET驱动器进行控制。输入电容较低（1800pF），有助于减少开关损耗，提高高频应用的性能。
　　该器件采用TO-220封装，具备良好的散热性能和机械强度，适合焊接在PCB上，并可在较恶劣的环境下稳定工作。LTL4251N的工作温度范围为-55℃至+175℃，显示出优异的温度适应能力。

LTL4251N广泛应用于各种电力电子设备中，特别是在需要高效功率控制的场合。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统。
　　在DC-DC转换器中，LTL4251N可作为主开关元件，用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构，其低导通电阻和高耐压特性有助于提高转换效率并减小电路尺寸。在电机控制应用中，它可用于H桥电路的上桥或下桥开关，实现对直流电机或步进电机的高效控制。
　　此外，LTL4251N也可用于电源管理系统中的负载切换，例如在多路电源分配系统中作为电子开关，实现对不同负载的快速切换和保护。其高电流能力和良好的热稳定性也使其适用于高功率LED驱动电路和电源管理模块。

IRF1405、IRF3710、SiR178DP、FDP3710、NTD3055