制造商：SK Hynix
　　类型：NAND Flash
　　容量：8 Gb（1 Gigabit x8）
　　电压范围：2.7V - 3.6V
　　接口类型：8位并行NAND接口
　　时钟频率：最高支持30 MHz
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP
　　封装尺寸：52-pin TSOP
　　数据保持时间：10年 @ 85°C
　　擦写周期：10,000次/块
　　ECC要求：每512字节需1位ECC

HY27UW08CGFA-TPIB是一款高性能、低功耗的NAND闪存芯片，适用于需要大容量非易失性存储的多种应用场景。该芯片采用CMOS工艺制造，具有高可靠性和较长的使用寿命。
　　该NAND闪存芯片支持页编程、块擦除和随机读取操作。其8位并行接口允许与主控器（如微控制器、SoC或NAND控制器）进行高速数据传输。支持的读写速度在30 MHz的时钟频率下可实现较高的数据吞吐量。
　　为了提高数据可靠性，HY27UW08CGFA-TPIB内置了错误检测和纠正机制，通常需要外部控制器配合实现1位/512字节的ECC（错误校正码）功能。此外，它还支持坏块标记和管理，有助于提升系统的稳定性和数据完整性。
　　该芯片的封装形式为52引脚TSOP，适用于工业级温度范围（-40°C至+85°C），因此非常适合在严苛的工业环境或车载系统中使用。其10,000次/块的擦写寿命也保证了其在中等写入强度下的长期使用可靠性。

HY27UW08CGFA-TPIB广泛应用于嵌入式系统、工业控制设备、车载导航系统、数码相机、MP3播放器、便携式终端设备、固态硬盘（SSD）控制器方案以及各种消费类电子产品中。由于其高容量和宽温工作特性，特别适合需要长期稳定运行和一定环境适应能力的设备。

K9F5608U0D-PCB0, TC58NVG0S3AFT00, MT29F8G08ABAFA4-IT:F