时间：2025/12/28 17:09:02
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LSP2130C31AD 是一款由 Littelfuse 公司制造的 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），设计用于高边开关、负载开关以及电源管理应用。该器件采用先进的半导体技术，提供高效率和低导通电阻特性，适用于汽车电子、工业控制以及消费类电子产品中的功率管理电路。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：-30 V
栅源电压（VGS）：±20 V
连续漏极电流（ID）：-3.1 A
导通电阻（RDS(on)）：@ VGS = -10 V: 120 mΩ（最大值）@ VGS = -4.5 V: 180 mΩ（最大值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-223
LSP2130C31AD 的核心特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），这一特性显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了整体系统的能效。该器件的栅极驱动电压范围宽广，支持从 -4.5 V 到 -10 V 的工作条件，便于在不同的应用中灵活使用。此外，其采用的 SOT-223 封装不仅具有较小的占板面积，还具备良好的热性能，能够有效散热并维持器件在高负载下的稳定运行。
另一项重要特性是其高可靠性和耐用性。LSP2130C31AD 能够在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内正常工作，适用于各种严苛环境条件下的应用。该器件内置的过热保护功能可以防止在异常工作条件下因过热而导致的损坏，从而增强了系统的可靠性。
LSP2130C31AD 通常应用于需要高效功率控制的电路中，例如汽车电子系统中的电池供电管理、负载开关以及电机控制。在工业自动化领域，它常用于继电器替代、电源分配以及电机驱动模块中，以提高系统的效率和可靠性。此外，该器件也广泛用于消费类电子产品，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机中的电源管理单元，用于控制外设设备的电源供应。
Si4465BDY, IRML2803, FDS6680, NDS355AN
