时间：2025/6/28 11:55:22
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SLD65R280E7是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率、低损耗的应用场景设计。该型号属于STMicroelectronics的MDmesh系列，采用了先进的制造工艺以实现低导通电阻和优秀的开关性能。这种器件通常用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及负载开关等应用中。
MDmesh技术通过优化单元结构和封装设计，在保证高击穿电压的同时降低了导通损耗，从而提升了整体系统效率。
型号：SLD65R280E7
类型：N-Channel MOSFET
VDS（漏源极耐压）：650V
RDS(on)（导通电阻）：280mΩ（典型值，VGS=10V时）
IDS（连续漏极电流）：4.9A
功耗：130W
栅极电荷：22nC（典型值）
输入电容：1200pF（典型值）
封装形式：TO-220AC
SLD65R280E7具有以下显著特点：
1. 高击穿电压：650V，适用于高压环境下的各种应用。
2. 低导通电阻：在VGS=10V时，其典型导通电阻仅为280mΩ，有助于降低传导损耗。
3. 快速开关能力：较低的栅极电荷（22nC）和输入电容（1200pF）使得该器件能够快速完成开关动作，减少开关损耗。
4. 稳定性强：采用MDmesh技术，确保在高频和高温条件下依然保持良好的电气性能。
5. 紧凑封装：TO-220AC封装提供良好的散热性能，并且易于集成到现有设计中。
6. 符合RoHS标准：环保无铅，满足现代电子产品的环保要求。
这款MOSFET广泛应用于多种领域：
1. 开关电源（SMPS）：
SLD65R280E7因其高耐压和低导通电阻特性，非常适合用作功率开关管，在离线式开关电源中表现优异。
2. DC-DC转换器：
在降压或升压型DC-DC转换电路中，该器件可以有效提升转换效率并降低热损耗。
3. 电机驱动：
由于其强大的电流处理能力和快速开关性能，可用于控制直流电机或步进电机。
4. 负载开关：
在需要频繁开启和关闭负载的情况下，SLD65R280E7可作为理想的开关元件。
5. UPS不间断电源：
在UPS系统中，该器件可用于电池充放电管理及逆变输出部分。
SLD65R280M7, SLD65R280K7
