时间：2025/8/14 3:03:54
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LRB521S-30T1G 是一款由 ON Semiconductor 生产的双引线表面贴装硅肖特基二极管阵列。该器件集成了两个独立的肖特基二极管，具有低正向压降和快速开关特性，适用于需要高效能和高频操作的电路设计。该器件采用 SOT-23 封装，适用于各种便携式电子设备和电源管理系统。
最大重复反向电压（VRRM）：30V
最大正向电流（IF）：200mA
正向压降（VF）：400mV（最大值，IF=100mA）
最大反向漏电流（IR）：100nA（VR=30V）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOT-23
LRB521S-30T1G 的主要特性之一是其集成的双肖特基二极管结构，使得在一个封装内实现两个独立的二极管功能，节省了 PCB 空间并提高了设计的灵活性。该器件的低正向压降特性有助于减少能量损耗，提高系统的整体效率。此外，其快速恢复时间使其适用于高频开关应用。
另一个重要特性是其高可靠性与热稳定性。LRB521S-30T1G 设计能够在高温环境下稳定工作，适合用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电池供电设备等应用。其 SOT-23 小型封装也便于自动化装配和高密度布局。
该器件的静电放电（ESD）耐受能力较强，能够在一定程度上抵御静电冲击，从而提高电路的稳定性与耐用性。同时，其封装材料符合 RoHS 标准，适用于环保电子产品设计。
LRB521S-30T1G 主要应用于需要高效、高频开关的电子电路中。例如，在电源管理系统中，它可以作为负载开关或反向电流保护元件。在 DC-DC 转换器中，该器件可以用于提高转换效率并减少能量损耗。
在便携式电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，LRB521S-30T1G 可用于电池充电电路、电源切换和低功耗管理模块。由于其小型 SOT-23 封装，非常适合空间受限的设计。
此外，该器件也广泛用于工业控制设备、传感器电路、LED 照明驱动电路以及各种通信设备中，作为高频整流器或信号隔离元件。其双二极管结构也使其适用于桥式整流器配置中的两个桥臂。
LRB521S-30T1G 可以被以下型号替代：LRB521S-30, LRB521S-30Q, LRB521S-30T1, LRB521S-30T1G-F, LBR-521S-30T1
