PQ1R25 是一款由罗姆半导体(ROHM)生产的N沟道功率MOSFET,广泛用于电源管理、开关电源、负载开关和电机驱动等应用。该器件采用高性能硅技术制造,具备低导通电阻和高耐压能力,适用于中高功率电子系统的设计。
类型:N沟道
漏源电压(VDS):250V
漏极电流(ID):1.2A(最大)
导通电阻(RDS(on)):2.5Ω(最大)
栅极阈值电压(VGS(th)):1V ~ 2.5V
功耗(PD):25W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:TO-92
PQ1R25具有多项优良的电气和物理特性,适合多种功率应用场合。首先,其较低的导通电阻(RDS(on))可以有效降低导通损耗,提高系统效率。其次,该MOSFET具备较高的耐压能力(250V),能够承受较高的电压应力,适用于高压环境。
此外,PQ1R25的栅极阈值电压范围较宽(1V~2.5V),便于与多种驱动电路兼容。其封装形式为TO-92,具备良好的散热性能,同时体积小巧,适合在空间受限的PCB布局中使用。
该器件的可靠性高,具备良好的热稳定性和抗静电能力,能够在较宽的温度范围内稳定工作。这使其在工业控制、消费电子和通信设备中均有良好的应用表现。
PQ1R25常用于各类中低功率开关电路、负载开关、DC-DC转换器、LED驱动电路、电机控制和继电器驱动等应用场景。在电源管理模块中,该MOSFET可作为主开关或同步整流元件使用,提升整体能效。
由于其高压耐受能力,PQ1R25也常用于电池管理系统、充电器和适配器等设备中,实现对高压电路的高效控制。在工业自动化和家电控制中,该器件可用于控制继电器、风扇、加热元件等负载。
另外,PQ1R25还可用于信号切换、隔离控制等应用场景,例如在音频切换电路或电源切换电路中作为电子开关使用。
2N7002, 2N3904, IRFZ44N, AO3400