PQ1R25 时间：2025/8/28 9:47:07 阅读：23

PQ1R25 是一款由罗姆半导体（ROHM）生产的N沟道功率MOSFET，广泛用于电源管理、开关电源、负载开关和电机驱动等应用。该器件采用高性能硅技术制造，具备低导通电阻和高耐压能力，适用于中高功率电子系统的设计。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：250V
　　漏极电流（ID）：1.2A（最大）
　　导通电阻（RDS(on)）：2.5Ω（最大）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1V ~ 2.5V
　　功耗（PD）：25W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-92

特性

PQ1R25具有多项优良的电气和物理特性，适合多种功率应用场合。首先，其较低的导通电阻（RDS(on)）可以有效降低导通损耗，提高系统效率。其次，该MOSFET具备较高的耐压能力（250V），能够承受较高的电压应力，适用于高压环境。
　　此外，PQ1R25的栅极阈值电压范围较宽（1V~2.5V），便于与多种驱动电路兼容。其封装形式为TO-92，具备良好的散热性能，同时体积小巧，适合在空间受限的PCB布局中使用。
　　该器件的可靠性高，具备良好的热稳定性和抗静电能力，能够在较宽的温度范围内稳定工作。这使其在工业控制、消费电子和通信设备中均有良好的应用表现。

应用

PQ1R25常用于各类中低功率开关电路、负载开关、DC-DC转换器、LED驱动电路、电机控制和继电器驱动等应用场景。在电源管理模块中，该MOSFET可作为主开关或同步整流元件使用，提升整体能效。
　　由于其高压耐受能力，PQ1R25也常用于电池管理系统、充电器和适配器等设备中，实现对高压电路的高效控制。在工业自动化和家电控制中，该器件可用于控制继电器、风扇、加热元件等负载。
　　另外，PQ1R25还可用于信号切换、隔离控制等应用场景，例如在音频切换电路或电源切换电路中作为电子开关使用。