LR388F4A是一款由LRC(乐山无线电)生产的N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),适用于需要高效、高频率开关性能的应用场景。该器件采用TO-252封装形式,具有良好的热稳定性和较高的电流承载能力,是电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等应用的理想选择。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):60A(在Tc=25℃)
功耗(Pd):120W
导通电阻(Rds(on)):≤7.5mΩ(在Vgs=10V时)
工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
封装形式:TO-252
LR388F4A具备极低的导通电阻,使其在大电流应用中能够显著降低功率损耗,提高系统效率。其高栅极击穿电压(±20V)确保了在各种工作条件下的稳定性和可靠性。此外,该器件的封装设计有助于有效的热量管理,适用于高密度电源设计。
该MOSFET还具有快速开关特性,支持高频操作,适用于诸如同步整流、电源转换和电池管理系统等应用。其N沟道结构提供了良好的导通性能和较高的效率。此外,TO-252封装形式便于安装和散热管理,适用于表面贴装工艺,适合大规模自动化生产。
由于其优异的电气性能和可靠性,LR388F4A在工业电源、汽车电子、消费类电子产品和通信设备中得到了广泛应用。其设计确保了在极端温度和负载条件下的稳定运行,适用于对性能要求较高的系统。
LR388F4A广泛应用于各类电子设备中,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器
2. 电池管理系统(BMS)
3. 电动工具和电动车电机控制
4. 负载开关和电源管理模块
5. 高速同步整流电路
6. 工业控制和自动化系统
7. 通信设备中的电源模块
Si4410BDY-T1-GE3, IRF3710Z, FDP6670, AUIRF3710Z