AP70N03S 时间：2025/7/8 22:09:48 阅读：12

AP70N03S 是一款来自 Diodes Incorporated 的 N 沃特功率 MOSFET，采用小尺寸封装设计，适用于高效能和高密度的开关应用。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适合用作同步整流器、负载开关、DC-DC 转换器以及电池保护电路等。其额定电压为 30V，能够满足大多数中低压应用场景的需求。
　　该型号的主要优势在于其优化的 RDS(on) 参数和出色的热性能，这使其能够在紧凑的设计中实现更高的效率和更低的功耗。

参数

最大漏源电压(Vds)：30V
　　连续漏极电流(Id)：14A
　　导通电阻(Rds(on))：6.5mΩ
　　栅极电荷(Qg)：8nC
　　典型阈值电压(Vth)：1.2V
　　结温范围：-55℃ 至 150℃
　　封装类型：TO-252(DPAK)

特性

AP70N03S 属于 Advanced Power 系列 MOSFET，专为低导通损耗设计而优化。其主要特性包括：
　　- 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少导通时的能量损失，提升整体效率。
　　- 快速的开关速度和较低的栅极电荷，使该器件非常适合高频开关应用。
　　- 小型化封装 TO-252 (DPAK)，在节省 PCB 面积的同时提供良好的散热性能。
　　- 具备优异的雪崩能力和耐用性，增强系统可靠性。
　　- 符合 RoHS 标准，支持环保要求。
　　- 工作温度范围宽广，可适应多种工业及消费类电子环境。

应用

AP70N03S 可广泛应用于以下领域：
　　- 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的同步整流器。
　　- 手机和平板电脑充电器及适配器。
　　- 笔记本电脑和服务器中的负载开关。
　　- 电机驱动和 LED 驱动电路。
　　- 电池管理及保护系统。
　　- 各种工业控制和通信设备中的功率级切换元件。