时间：2025/8/14 19:27:13
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BAW156_R1_00001 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道功率 MOSFET，主要用于需要高效能和高可靠性的电子设备中。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流能力，适用于各种电源管理和开关应用。
类型：N 沟道
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：4.6A
导通电阻（Rds(on)）：0.043Ω @ Vgs = 4.5V
功率耗散（Pd）：200mW
封装类型：TSMT6
BAW156_R1_00001 功率 MOSFET 的主要特性之一是其低导通电阻，这使得该器件在高电流工作条件下能够保持较低的功耗和温升，从而提高系统的整体效率。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，允许在不同的驱动条件下保持良好的性能，确保在各种应用中都能稳定工作。
此外，BAW156_R1_00001 采用 TSMT6 封装，体积小巧，适合在空间受限的设计中使用。这种封装还具有良好的散热性能，有助于提高器件的可靠性。
该 MOSFET 具有较高的耐压能力，漏源电压为 20V，能够在电压波动较大的环境中保持稳定运行，减少故障率。
由于其高电流能力，最大连续漏极电流可达 4.6A，BAW156_R1_00001 可以用于高负载的开关电路中，如 DC-DC 转换器、电池管理系统和电机控制电路等。
该器件还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定工作，适用于工业级和汽车电子等对可靠性要求较高的应用场景。
BAW156_R1_00001 主要应用于电源管理系统，例如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关和电池充电器等。
在汽车电子系统中，该 MOSFET 可用于车身控制模块、电动助力转向系统和车载充电设备等。
此外，它也适用于便携式电子设备中的电源管理单元，如智能平板、笔记本电脑和无线充电设备等。
由于其高可靠性和热稳定性，BAW156_R1_00001 也常用于工业自动化控制系统和电机驱动器中。
Si2302DS, BSS138, 2N7002, FDV301N
