时间：2025/8/7 16:52:26
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LP2201-18/28B6F是一种高压、高速功率MOSFET，专为高效能电源转换应用设计。该器件采用了先进的平面工艺技术，提供了优异的导通电阻和开关性能。LP2201-18/28B6F具有低栅极电荷和快速反向恢复特性，使其适用于高频开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用。此外，该MOSFET的封装设计能够提供良好的热性能和机械强度，确保在高功率环境下稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：200V
连续漏极电流(ID)：18A（@25°C）
脉冲漏极电流(IDM)：28A
导通电阻(RDS(on))：0.18Ω（@VGS=10V）
栅极电荷(Qg)：38nC
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
LP2201-18/28B6F的主要特性包括高耐压能力和优异的导通性能，使其在高功率应用中表现出色。其低导通电阻有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，该器件的高速开关能力减少了开关损耗，使得其适用于高频操作环境。LP2201-18/28B6F还具备良好的热稳定性，能够在高温度条件下保持稳定性能。其先进的平面工艺技术提供了优异的可靠性和耐用性，适合各种严苛的工作条件。
该MOSFET的封装设计优化了散热性能，确保在高电流负载下仍能保持较低的结温。此外，其快速反向恢复特性使其适用于需要快速切换的应用，如同步整流和电机控制。LP2201-18/28B6F的栅极驱动特性也非常优秀，能够与常见的驱动电路兼容，简化了设计和实现过程。
LP2201-18/28B6F广泛应用于各种高功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、电池充电器以及工业自动化设备。其优异的高频特性使其成为谐振转换器和ZVS（零电压开关）拓扑的理想选择。此外，该器件也适用于高效率的太阳能逆变器和UPS系统，提供稳定的功率转换性能。由于其良好的热管理和高可靠性，LP2201-18/28B6F也常用于汽车电子系统，如电动车辆的电源管理系统和车载充电器。
IPB04N20N、FDPF20N20、FQA20N20、STP20NK20Z
