NCT5571D-2 时间：2025/4/28 8:42:15 阅读：2

NCT5571D-2 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它广泛应用于需要高效功率转换和低导通电阻的应用场景中。该器件采用先进的工艺制造，具有出色的开关特性和低功耗特点，适用于各种电源管理应用，例如 DC-DC 转换器、负载开关和电池保护电路等。
　　其主要设计目标是为高频率开关应用提供卓越的性能表现，并能够在较高的电流条件下保持较低的导通损耗。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压 (Vds)：60 V
　　栅极源极电压 (Vgs)：±20 V
　　连续漏极电流 (Id)：34 A
　　导通电阻 (Rds(on))：3.5 mΩ
　　栅极电荷 (Qg)：49 nC
　　输入电容 (Ciss)：1880 pF
　　总功耗 (Ptot)：16 W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

NCT5571D-2 的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在高电流下可显著减少传导损耗。
　　2. 高速开关能力，支持高频应用，降低开关损耗。
　　3. 低栅极电荷 (Qg)，有助于提高系统效率。
　　4. 良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持可靠运行。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代工业要求。
　　6. 小型封装设计，节省 PCB 空间，同时具备良好的散热性能。

应用

这款 MOSFET 可用于多种电力电子领域：
　　1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
　　2. 电机驱动和逆变器控制电路中的功率级元件。
　　3. 笔记本电脑、平板设备和其他便携式电子产品的负载开关。
　　4. 电池管理系统中的保护电路。
　　5. 工业自动化设备中的功率调节模块。
　　6. 高效 LED 驱动器中的关键功率器件。