时间：2025/5/20 15:53:27
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LQW18AN30NG00D 是一款由罗姆（ROHM）公司生产的 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用 LFPAK8 封装形式，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于需要高效能和小体积的电路设计。其广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和电源管理等领域。
该型号的设计特别强调降低功耗和提升效率，同时具备出色的热稳定性和耐用性。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：14A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：26nC
开关速度：快
封装形式：LFPAK8
LQW18AN30NG00D 的导通电阻非常低，仅为 2.5mΩ，这使得其在高电流应用中能够显著降低功耗并减少发热问题。
其具备优秀的开关性能，适合高频工作场景，可以有效提高整体系统的效率。
此外，该 MOSFET 具备较低的栅极电荷，有助于减少驱动损耗，进一步优化了系统设计。
由于采用了 LFPAK8 封装技术，此器件还拥有良好的散热性能和更高的功率密度，使其非常适合紧凑型设计的应用需求。
LQW18AN30NG00D 广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）
- 电池管理系统（BMS）
- 汽车电子中的负载切换和保护电路
- 高效 DC-DC 转换器
- 工业自动化设备中的电机控制
该器件凭借其优异的电气特性和可靠性，在新能源汽车、消费类电子产品以及工业领域中都有广泛应用。
LQW18AN30NCA0D
LQW18AN30NCB0D
