IRF7455TR 时间：2025/5/8 19:58:49 阅读：13

IRF7455TR是一款N沟道增强型MOSFET，采用TO-263封装形式。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合用于DC-DC转换器、开关电源、电机驱动以及负载切换等应用领域。其最大漏源电压为60V，持续漏极电流可达53A（在特定条件下），能够满足高效率和高性能的需求。

参数

最大漏源电压：60V
　　持续漏极电流：53A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.8mΩ（典型值，10V栅源电压下）
　　栅极电荷：29nC（典型值）
　　总功耗：240W
　　工作结温范围：-55°C至+175°C
　　封装形式：TO-263

特性

IRF7455TR的主要特性包括以下几点：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗并提高系统效率。
　　2. 较小的栅极电荷，确保快速开关性能，从而降低开关损耗。
　　3. 采用TO-263封装，具备良好的散热性能和机械稳定性。
　　4. 能够承受高达175°C的工作结温，适用于恶劣环境下的应用。
　　5. 高雪崩能量能力，提供更强的鲁棒性以应对异常情况。
　　6. 符合RoHS标准，环保且满足现代工业要求。

应用

IRF7455TR适用于多种电力电子应用，例如：
　　1. 开关模式电源（SMPS）中的功率转换级。
　　2. 同步整流电路，用于提升效率。
　　3. DC-DC转换器中的高频开关元件。
　　4. 电机驱动电路，特别是在大电流需求的应用中。
　　5. 工业自动化设备中的负载切换控制。
　　6. 太阳能逆变器以及其他需要高效功率处理的场景。