时间：2025/9/15 3:39:08
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PSMN057-200P是一款由Nexperia（安世半导体）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用先进的Trench技术，具备低导通电阻（RDS(on)）和高电流能力，适用于DC-DC转换器、电机控制、负载开关和电池管理系统等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：200V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：110A @ Tc=25℃
导通电阻(RDS(on))：5.7mΩ @ VGS=10V
工作温度范围：-55℃ ~ 175℃
封装形式：TO-263 (D2PAK)
功率耗散(PD)：240W
PSMN057-200P具有多项卓越的电气特性，使其在高功率应用中表现出色。其低导通电阻（RDS(on)）仅为5.7mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件支持高达110A的连续漏极电流，在高电流负载下依然保持稳定性能。
此外，PSMN057-200P采用了Nexperia的高性能Trench MOSFET技术，确保了优异的开关特性和热稳定性。其高栅极氧化层可靠性设计，支持±20V的栅源电压，提高了抗干扰能力和使用寿命。
该MOSFET具备高雪崩能量耐受能力，适用于需要高可靠性的工业和汽车电子应用。TO-263（D2PAK）表面贴装封装不仅便于散热，还支持自动化贴片工艺，适用于高密度PCB设计。
PSMN057-200P广泛应用于多种高功率和高效率的电源管理系统中，例如DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动、负载开关、电池管理系统（BMS）以及汽车电子系统。其高电流能力和低导通电阻使其成为高性能开关电源（SMPS）中的理想选择。此外，它也可用于工业自动化设备、不间断电源（UPS）以及储能系统中的功率控制模块。
SiHF20N200CTR-E3, FDP110N20, IPP110N20N3G, SPW20N20C3
