内核：ARM Cortex-M3 内核
　　主频：最高可达 120 MHz
　　Flash 容量：512 KB
　　SRAM 容量：64 KB
　　工作电压：2.7V - 5.5V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：LQFP-64
　　ADC：12位，最多16通道
　　DAC：12位，2通道
　　定时器：多个16位和32位定时器
　　通信接口：支持 UART、SPI、I2C、CAN、USB 等

HR1001GSZ 具备高性能的 ARM Cortex-M3 内核，主频最高可达 120 MHz，提供强大的计算能力，适用于复杂的控制算法和数据处理任务。
　　该芯片内置 512 KB 的 Flash 存储器和 64 KB 的 SRAM，支持代码和数据的高效存储，并提供多种存储保护机制，确保系统安全可靠。
　　HR1001GSZ 支持宽电压工作范围（2.7V - 5.5V），适应多种电源环境，并具备良好的抗干扰能力，适用于工业现场和汽车电子等复杂应用环境。
　　该芯片集成丰富的外设接口，包括 UART、SPI、I2C、CAN 和 USB 等，方便与外部设备进行高速通信和数据交换，满足多样化的系统设计需求。
　　HR1001GSZ 提供多达 16 通道的 12 位 ADC 和 2 通道的 12 位 DAC，支持高精度模拟信号采集和输出，适用于传感器数据处理和模拟控制应用。
　　芯片内置多个 16 位和 32 位定时器，支持 PWM 输出、捕获/比较功能，适用于精确的时序控制和电机驱动等应用场景。
　　HR1001GSZ 支持多种低功耗模式，包括待机、休眠和深度休眠模式，适用于需要节能设计的嵌入式系统。

HR1001GSZ 广泛应用于工业自动化控制、智能家电、汽车电子、电动工具、医疗设备、智能家居系统等领域，适合需要高性能处理和丰富外设接口的嵌入式控制系统。

RH850/F1L, RX130, STM32F407