RF2326是一款由RF Micro Devices(现为Qorvo)设计的射频功率放大器(PA)芯片,主要用于无线通信系统中的射频信号放大。该芯片工作频率范围覆盖从800 MHz到2.5 GHz,适用于多种无线通信标准,如CDMA、WCDMA、LTE等。RF2326采用了先进的InGaP(磷化铟镓)高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,具有高线性度和高效率的特点,使其成为基站、无线基础设施和工业通信设备中的理想选择。
类型:射频功率放大器(PA)
工作频率范围:800 MHz - 2.5 GHz
输出功率:典型值26 dBm
增益:20 dB(典型值)
电源电压:5 V
电流消耗:典型值130 mA
封装类型:24引脚TSSOP
工作温度范围:-40°C至+85°C
线性度:优异的ACLR和EVM性能
阻抗匹配:50Ω输入/输出匹配
RF2326具有多个关键特性,确保其在各种射频应用中的高性能表现。首先,该芯片的工作频率范围较宽,支持从800 MHz到2.5 GHz的多个频段,使其适用于多种无线通信标准。其次,RF2326的输出功率为26 dBm,增益达到20 dB,能够提供足够的信号放大能力,适用于中等功率的射频应用。
该芯片采用InGaP HEMT工艺,确保了高线性度和高效率。这使其在多载波通信系统中表现出色,减少了信号失真,提高了整体系统性能。此外,RF2326的电源电压为5 V,典型电流消耗为130 mA,功耗较低,适用于需要高效能和低功耗的应用场景。
RF2326广泛应用于各种射频通信系统中,特别是在无线基础设施领域。它适用于基站、小型蜂窝基站(Small Cell)、Wi-Fi接入点、无线中继器以及工业通信设备等场景。由于其宽频带特性,RF2326可用于支持多种无线标准,如GSM、CDMA、WCDMA、LTE和WiMAX等。
HMC414, RF2327, ADRF5545A, QPA2903