时间：2025/9/2 1:14:36
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H27U2G8F2DTR 是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的NAND闪存芯片。该芯片的容量为2Gbit（256MB），采用8位I/O接口，适用于需要高存储密度和低功耗的应用场景。这款NAND闪存芯片广泛应用于嵌入式系统、消费类电子产品以及工业控制设备中，用于存储程序代码、数据和固件。
名称：H27U2G8F2DTR
类型：NAND闪存
容量：2Gbit (256MB)
电压：2.7V - 3.6V
接口：8位I/O
工作温度：-40°C 至 +85°C
封装：TSOP
读取时间：最大50ns
写入时间：最大50ns
H27U2G8F2DTR NAND闪存芯片具备多项优异特性，包括高存储密度、低功耗和高可靠性。该芯片支持页编程和块擦除操作，适用于需要频繁读写操作的应用场景。其采用的TSOP封装形式确保了良好的散热性能和机械稳定性，适用于工业级工作温度范围（-40°C至+85°C）。
此外，H27U2G8F2DTR 提供了50ns的快速读写速度，适用于对性能有一定要求的嵌入式系统。其设计支持ECC（错误校正码）功能，可有效提升数据存储的可靠性。芯片内置的坏块管理功能也有助于延长使用寿命并提高系统稳定性。由于其广泛兼容性和成熟的工艺，H27U2G8F2DTR 成为了许多嵌入式设备和消费类电子产品中的理想存储解决方案。
H27U2G8F2DTR NAND闪存芯片广泛应用于多种嵌入式系统和电子设备中，如数字电视、机顶盒、网络设备、工业控制器、便携式媒体播放器和通信设备。该芯片适合用作固件存储、程序代码存储以及数据缓存等用途。由于其具备工业级温度范围和较高的耐用性，因此也非常适合用于需要在恶劣环境下工作的工业和汽车电子系统。此外，该芯片也常见于老一代智能手机、平板电脑和物联网设备中，用于存储操作系统和应用程序数据。
K9F2G08U0B, MT29F2G08ABAFAWP
