CJU18P10 时间：2025/8/17 1:45:51 阅读：5

CJU18P10 是一款P沟道功率MOSFET，广泛用于电源管理、开关电源、负载开关以及电池供电设备中。由于其P沟道结构，CJU18P10特别适用于高侧开关应用，例如电源切换和DC-DC转换器等场合。该器件采用先进的沟槽式技术，具有低导通电阻、高效率和优异的热稳定性，能够在高频率下稳定运行。

参数

类型：P沟道
　　最大漏源电压(VDS)：100V
　　最大漏极电流(ID)：18A（在VGS = -10V时）
　　导通电阻(RDS(on))：约12mΩ（在VGS = -10V时）
　　栅极电压(VGS)范围：-20V至0V
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）、TO-263（D2PAK）或其他表面贴装封装
　　功率耗散(PD)：100W左右（取决于封装和散热条件）

特性

CJU18P10的主要特性之一是其非常低的导通电阻（RDS(on)），这使得该MOSFET在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较高的电流承载能力和良好的热稳定性，适合在高温环境下工作。由于采用先进的沟槽式工艺，CJU18P10在高频开关应用中表现出色，具有快速的开关速度和较低的开关损耗。其P沟道结构使其特别适用于高侧开关应用，无需额外的电荷泵电路即可驱动。此外，该MOSFET具有较强的抗雪崩击穿能力，提高了在高应力环境下的可靠性。CJU18P10的栅极驱动电压范围较宽，通常在-10V至-20V之间，便于与多种驱动电路兼容。

应用

CJU18P10常用于电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池充电器、电机驱动器以及工业自动化设备中。其高侧开关特性使其在笔记本电脑、服务器电源、UPS（不间断电源）和电信设备中尤为常见。此外，CJU18P10也适用于需要高可靠性和高效率的汽车电子系统，如车载充电器、电动工具和电池管理系统。