类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）：6 A @ TC=25℃
　　脉冲漏极电流（IDM）：24 A
　　导通电阻（RDS(on)）：13.5 mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻（RDS(on)）：17 mΩ @ VGS=4.5V
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0 V ~ 3.0 V
　　输入电容（Ciss）：920 pF @ VDS=50V
　　输出电容（Coss）：280 pF @ VDS=50V
　　反向传输电容（Crss）：35 pF @ VDS=50V
　　栅极电荷（Qg）：13 nC @ VGS=10V
　　开启延迟时间（td(on)）：8 ns
　　上升时间（tr）：25 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：20 ns
　　下降时间（tf）：15 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55 ℃ ~ +150 ℃
　　封装：SO-8（带EP裸露焊盘）

UTT6NP10G-SO8-R的核心特性在于其优化的沟槽式MOSFET工艺，结合先进的封装技术，在100V耐压等级下实现了极低的导通电阻。其RDS(on)最大值仅为17mΩ（在VGS=4.5V时），显著降低了导通损耗，提高了电源系统的整体能效。这对于电池供电设备或高密度电源模块尤为重要，有助于减少发热并提升系统可靠性。器件采用SO-8 EP（Exposed Pad）封装，不仅节省了PCB空间，还通过底部裸露焊盘将热量高效传导至PCB地层或散热区域，有效控制结温上升。这种封装形式特别适用于空间受限但对热管理有较高要求的应用，如便携式电子设备、通信模块和工业控制板。
　　该MOSFET具备良好的栅极驱动兼容性，可在+4.5V至+10V的栅源电压下稳定工作，支持现代低压控制IC（如PWM控制器或逻辑门驱动器）直接驱动，无需额外的电平转换电路。其阈值电压范围为2.0V~3.0V，确保在低电压启动时仍能可靠开启。此外，器件具有较低的输入电容（920pF）和栅极电荷（13nC），有助于降低驱动功耗并加快开关速度，从而减少开关损耗，尤其在高频工作环境下表现优异。反向传输电容（Crss）仅为35pF，增强了器件的抗噪声能力，降低了米勒效应引起的误触发风险，提升了系统稳定性。
　　UTT6NP10G-SO8-R还具备出色的雪崩能量承受能力和体二极管反向恢复特性，能够在瞬态过压或感性负载切换时提供一定的保护能力。其工作结温范围宽达-55℃至+150℃，适应严苛的工业与汽车级应用环境。器件符合RoHS与无卤要求，支持回流焊工艺，适用于自动化SMT生产线，确保大批量制造的一致性与可靠性。综合来看，该MOSFET在性能、尺寸与热管理之间实现了良好平衡，是中等功率开关应用的理想选择。

UTT6NP10G-SO8-R广泛应用于各类中低功率电源管理系统中。典型应用场景包括同步降压（Buck）转换器，作为高端或低端开关管，用于服务器主板、网络设备和嵌入式系统的多相VRM设计。在升压（Boost）和反激（Flyback）拓扑中，该器件可作为主开关管用于DC-DC变换器，适用于工业传感器、LED驱动电源和电信设备。由于其低导通电阻和小封装特性，也常用于电池供电设备中的负载开关或电源路径管理，实现快速启停与低静态功耗控制。此外，在电机驱动电路中，如小型直流电机或步进电机的H桥驱动，该MOSFET可作为桥臂开关元件，提供高效且响应迅速的控制能力。其SO-8封装便于手工焊接与自动化生产，因此也被广泛应用于消费类电子产品、智能家居设备和物联网终端中。在需要高可靠性与紧凑设计的工业控制系统中，如PLC模块、电源适配器和隔离式电源次级侧同步整流，该器件同样表现出色。

UTT6NP10G, SiSS100DN, AOZ5215EQI, Infineon IPP095N10N3, ON Semiconductor FDMC8878