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LN6210B362MR-G 发布时间 时间:2025/6/27 14:29:31 查看 阅读:8

LN6210B362MR-G 是一款由 Littelfuse 公司生产的瞬态抑制二极管阵列(TVS 二极管阵列),主要用于保护电子设备免受静电放电 (ESD)、电气快速瞬变 (EFT) 和其他过电压瞬变的影响。该器件采用 SOT-23 封装,适合在空间受限的应用中使用。
  LN6210B362MR-G 的设计确保了其能够提供低电容和快速响应时间的特性,非常适合高速数据线路的保护需求。

参数

工作电压:5.8V
  峰值脉冲电流:±14A
  箝位电压:17.9V
  最大反向工作电压:6V
  结电容:9pF
  响应时间:1ps
  封装形式:SOT-23

特性

LN6210B362MR-G 提供了以下主要特性:
  1. 快速响应时间,可以迅速抑制瞬态电压尖峰。
  2. 高度可靠的 ESD 保护能力,符合 IEC61000-4-2 国际标准,达到 ±15kV(空气放电)和 ±8kV(接触放电)。
  3. 极低的电容值,减少对信号完整性的干扰。
  4. 可承受高能量的瞬态事件,适用于工业和消费类应用。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且无铅。
  6. 工作温度范围广(-55°C 至 +150°C),适合多种环境条件下的使用。

应用

LN6210B362MR-G 广泛应用于各种需要 ESD 和瞬态电压保护的场合,例如:
  1. USB 接口和其他高速数据传输线的保护。
  2. 移动设备和消费类电子产品中的射频信号线保护。
  3. 工业自动化设备的通信端口防护。
  4. 汽车电子系统中的信号线保护。
  5. 电信设备中的接口保护,如以太网端口等。
  此型号的 TVS 二极管阵列为这些应用提供了高性能和高可靠性的解决方案。

替代型号

LN6210B362TR-G, SP1014BN6G

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