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IRLR8743TRPBF 发布时间 时间:2025/5/10 10:51:29 查看 阅读:2

IRLR8743TRPBF是英飞凌(Infineon)公司生产的一款N沟道逻辑电平MOSFET。该器件采用薄型小外形晶体管封装(TO-252/DPAK),具有低导通电阻和高开关速度的特点,非常适合用于直流-直流转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电设备等应用中。
  这款MOSFET的最大特点是其极低的导通电阻,能够有效降低功率损耗,从而提高系统效率。同时,它具备较低的栅极电荷和输入电容,有助于实现快速开关性能,减少开关损耗。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:16A
  导通电阻(典型值,在Vgs=10V时):4.5mΩ
  栅极电荷(Qg):9nC
  输入电容(Ciss):1330pF
  总电容(Crss):270pF
  输出电容(Coss):110pF
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

1. 极低的导通电阻,可显著降低功率损耗,提升效率。
  2. 高额定电流能力,适用于大功率应用。
  3. 快速开关速度,得益于低栅极电荷和低输入电容。
  4. 宽工作温度范围,适应多种环境条件。
  5. 符合RoHS标准,环保设计。
  6. 小巧的DPAK封装,节省PCB空间。
  7. 良好的热稳定性,确保长时间运行可靠性。

应用

1. 开关电源中的同步整流器
  2. 电机控制和驱动电路
  3. 电池保护和管理
  4. 工业自动化设备中的负载开关
  5. 消费类电子产品中的DC-DC转换器
  6. 通信设备中的功率管理模块
  7. 照明系统中的LED驱动电路

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IRLR8743TRPBF参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C160A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.1 毫欧 @ 25A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.35V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs59nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4880pF @ 15V
  • 功率 - 最大135W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRLR8743TRPBFTR