SAF-XC836-2FRI AB是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先进的半导体制造工艺,主要应用于高效率、高频开关场景。该芯片具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著提高电路的能量转换效率并降低热损耗。
这款器件通常用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及负载开关等应用领域,其出色的性能使其成为许多工业和消费电子设备的理想选择。
型号:SAF-XC836-2FRI AB
类型:N沟道增强型MOSFET
封装形式:TO-252 (DPAK)
Vds(漏源极电压):60V
Rds(on)(导通电阻):1.4mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
Id(连续漏极电流):72A
Qg(栅极电荷):35nC
fsw(最大开关频率):1MHz
工作温度范围:-55℃至+175℃
SAF-XC836-2FRI AB具备以下关键特性:
1. 极低的导通电阻Rds(on),有效减少导通损耗,提高系统效率。
2. 快速开关能力,适合高频应用环境。
3. 高电流承载能力,支持大功率负载需求。
4. 强大的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持一致的性能。
5. 内置ESD保护机制,增强了芯片在实际使用中的可靠性。
6. 小型化封装设计,有助于简化PCB布局并节省空间。
这些特性使得该芯片成为高效能功率转换及控制应用的理想解决方案。
SAF-XC836-2FRI AB广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)。
2. DC-DC转换器,包括降压和升压拓扑结构。
3. 电机驱动与控制电路。
4. 负载开关和保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 消费类电子产品如笔记本电脑适配器、LED照明驱动器等。
由于其卓越的电气性能和可靠性,这款MOSFET适用于各种需要高效功率转换的应用场合。
IRFZ44N, STP75NF06L, FDP5500