LMUN5216DW1T1 时间：2025/8/13 11:36:59 阅读：26

LMUN5216DW1T1 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的双极性晶体管阵列（NPN/PNP 组合）。该器件集成了一个 NPN 和一个 PNP 晶体管在一个小型封装中，适用于需要双极性晶体管配合使用的应用，例如电平转换、接口电路、放大器电路和数字逻辑电路中的开关应用。LMUN5216DW1T1 采用了 SOT-363 封装，适合高密度 PCB 设计。

参数

类型：双极性晶体管阵列（NPN + PNP）
　　集电极-发射极电压 (Vce)：100V（NPN），-100V（PNP）
　　集电极电流（最大）：100mA（每个晶体管）
　　功耗：200mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOT-363
　　晶体管配置：共发射极
　　电流增益（hFE）：110 至 800（根据型号后缀不同而变化）

特性

LMUN5216DW1T1 的主要特性之一是其集成了一个 NPN 和一个 PNP 晶体管在单个芯片上，使得其在电路设计中可以节省空间并减少元件数量，提高系统的可靠性。
　　该器件的工作电压范围较宽，可达 ±100V，适用于多种电压等级的电路应用，包括中等电压开关和信号调理电路。
　　其 SOT-363 小型封装非常适合高密度 PCB 设计，也适用于便携式设备和空间受限的应用场景。　　此外，该器件具有良好的热稳定性和温度适应性，能够在 -55°C 至 150°C 的温度范围内稳定工作，适用于工业级和汽车电子应用。
　　LMUN5216DW1T1 的低功耗特性也使其适用于电池供电设备和低功耗系统设计。

应用

LMUN5216DW1T1 主要应用于需要 NPN 和 PNP 晶体管配对工作的电路中，例如电平转换器、接口电路、H 桥驱动器、LED 驱动器、继电器控制以及数字开关电路。
　　在数字电路中，该器件常用于将低电压信号转换为高电压信号，或者作为反相器使用。
　　在汽车电子系统中，它可以用于控制车灯、电机或其他执行器的开关电路。
　　此外，LMUN5216DW1T1 也适用于音频放大器的前级放大电路、传感器信号调理电路以及电源管理模块中的电流检测和控制电路。
　　由于其高集成度和小封装，该器件在消费类电子产品（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中广泛用于控制和接口电路。