时间：2025/5/23 11:23:31
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FN21X331K500PXG是一款高性能的MOSFET功率晶体管，广泛应用于电源管理、电机驱动和逆变器等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提升电路效率并降低功耗。
这款MOSFET属于N沟道增强型场效应晶体管，适用于高压和大电流的应用场景。它支持表面贴装封装（SMD），适合自动化生产和紧凑型设计需求。
型号：FN21X331K500PXG
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：650V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：50A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ
总功耗(Ptot)：250W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：PXG
FN21X331K500PXG的主要特性包括：
1. 高耐压能力，最高支持650V的漏源电压，适用于多种高压应用场景。
2. 极低的导通电阻，仅为4.5mΩ，有助于减少导通损耗并提高系统效率。
3. 快速开关性能，可有效降低开关损耗。
4. 支持高达50A的连续漏极电流，确保在大电流条件下稳定运行。
5. 宽广的工作温度范围（-55℃至+175℃），适应各种严苛环境。
6. 表面贴装封装（SMD），便于实现高效自动化生产。
7. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
FN21X331K500PXG广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和不间断电源（UPS）。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源转换设备。
4. 工业自动化控制中的功率转换模块。
5. 高效LED驱动器和汽车电子系统。
6. 各类需要高效率、高可靠性功率开关的应用场景。
IRFP250N, FQP50N06L, STP50NF06
