时间：2025/4/29 14:22:26
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SI1904DL-T1-E3 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 TrenchFET 第三代技术，具有极低的导通电阻和出色的开关性能，适用于高频和高效能要求的应用场景。其封装形式为 SOT-23，并支持多种工业级应用。
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：1.8A
导通电阻(Rds(on))：57mΩ (在 Vgs=10V 时)
栅极电荷(Qg)：3.5nC
总功耗(Ptot)：450mW
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
SI1904DL-T1-E3 使用 Vishay 的 TrenchFET 技术，能够提供更低的导通电阻以及更少的栅极电荷，从而提高效率并降低功率损耗。
其小尺寸 SOT-23 封装非常适合于空间受限的设计环境。
此外，该 MOSFET 具备高开关速度、较低的输入和输出电容，适合高频 DC/DC 转换器和其他开关应用。
由于其较高的结温能力（最高 175°C），它能够在恶劣环境下稳定运行。
SI1904DL-T1-E3 主要用于需要高性能和高效率的电子电路中。典型应用包括：
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流器。
2. 便携式设备的负载开关。
3. 电机驱动和电池管理系统的功率控制。
4. 工业自动化和通信设备中的信号切换。
5. 各种 D 类音频放大器的功率级驱动。
SI1905DL, SI1906DL, SI2304DS
