类型：NPN 双晶体管阵列
　　集电极-发射极电压（Vce）：50V
　　集电极电流（Ic）：每个晶体管100mA
　　功率耗散（Pd）：300mW
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110（最小）@ Ic=2mA, Vce=5V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

LMUN2116T1G 是一款高集成度的双 NPN 晶体管器件，其核心特性在于其高增益与低噪声性能，适用于高频信号放大和低噪声前置放大器应用。每个晶体管均具备良好的线性度，使其在模拟电路中表现优异。此外，该器件的封装紧凑，采用标准 SOT-23 封装，便于在高密度 PCB 设计中使用。
　　该器件的集电极-发射极电压为 50V，集电极电流能力为每个晶体管 100mA，能够在中等功率应用中稳定工作。由于其最大增益带宽积达到 100MHz，LMUN2116T1G 在射频（RF）和中频（IF）放大电路中表现出色。
　　该晶体管阵列具有良好的热稳定性和低饱和压降，适用于开关电路和驱动 LED、继电器等负载。其 hFE（电流增益）在典型工作条件下可达 110 至更高，确保了较低的基极驱动电流需求，有助于简化电路设计。
　　LMUN2116T1G 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，符合工业级可靠性要求，可在恶劣环境中稳定运行。此外，该器件符合 RoHS 环保标准，无铅封装，适用于现代电子产品制造。

LMUN2116T1G 主要用于需要高增益和低噪声性能的模拟电路中，例如音频放大器、前置放大器、射频信号放大和中频放大电路。此外，该器件也广泛应用于数字逻辑电平转换、缓冲器、驱动器以及低功耗传感器接口电路中。
　　在通信设备中，LMUN2116T1G 常用于无线接收器的低噪声放大级，以提高信号灵敏度。在工业控制系统中，它可用于驱动继电器、LED 指示灯或小型电机。此外，该器件也适用于消费类电子产品，如便携式音频设备、智能卡读卡器和电源管理电路。
　　由于其高集成度和小封装尺寸，LMUN2116T1G 在便携式设备中特别受欢迎，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的信号调节和驱动电路。

MMBT2222A, BC847B, 2N3904, 2N2222, MMBT3904