BUK98150-55 是一款由安森美(onsemi)生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种功率转换应用。其封装形式为 TO-263(D2PAK),使其能够处理较高的电流并具备良好的散热性能。这款 MOSFET 常用于 DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等场景。
最大漏源电压:55V
连续漏极电流:47A
导通电阻(典型值):2.8mΩ
栅极电荷:105nC
输入电容:2040pF
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
1. **低导通电阻**:典型值仅为 2.8mΩ,可显著降低功率损耗,提高系统效率。
2. **高电流承载能力**:连续漏极电流可达 47A,适合高功率应用场合。
3. **快速开关性能**:较低的栅极电荷(105nC)使得该 MOSFET 具备更快的开关速度,从而减少开关损耗。
4. **宽工作温度范围**:支持从 -55°C 到 +175°C 的工作温度,确保在极端环境下的可靠运行。
5. **高可靠性**:通过优化的封装设计和制造工艺,保证了器件在长时间使用中的稳定性。
1. **功率转换**:如 DC-DC 转换器、AC-DC 转换器中的同步整流。
2. **电机驱动**:用于控制直流无刷电机(BLDC)、步进电机等的驱动电路。
3. **负载开关**:实现电源通断控制,保护后级电路免受过载或短路影响。
4. **电池管理**:适用于电动车、储能系统等场景中的电池充放电控制。
5. **工业自动化**:用作各类工业设备中的功率开关元件。
1. **IRFB3207**:由 Vishay 生产,具有类似的导通电阻和电流承载能力,但封装形式为 TO-247。
2. **STP120NF06L**:来自意法半导体(STMicroelectronics),额定电压为 60V,导通电阻稍高,但封装兼容 TO-263。
3. **FDP16N50**:Fairchild(现为 ON Semiconductor)的产品,虽然额定电压更高(50V),但在某些应用中可以作为替代选择。
注意:在选择替代型号时,请务必确认其电气参数和封装形式是否完全满足实际需求,并进行充分测试以确保兼容性。