时间：2025/5/26 11:27:04
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CDR34BP272BKZPAT 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高性能功率晶体管，属于 Cree 公司（现为 Wolfspeed）的 C 系列 GaN HEMT（高电子迁移率晶体管）。该器件采用常关型设计，适用于高频和高效能的应用场景。其封装形式为增强型 QFN 封装，具有低寄生电感和良好的散热性能。
这款晶体管广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动器、无线充电设备以及工业电源等领域，能够显著提高系统的效率和功率密度。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：18A
导通电阻：150mΩ
栅极电荷：95nC
开关频率：高达 5MHz
结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：QFN
CDR34BP272BKZPAT 的主要特性包括：
1. 高击穿电压：能够承受高达 600V 的漏源电压，适用于高压应用场景。
2. 低导通电阻：仅为 150mΩ，可降低传导损耗，提升系统效率。
3. 快速开关速度：支持高达 5MHz 的开关频率，适合高频应用。
4. 高效散热设计：QFN 封装提供了良好的热传导路径，确保在高温环境下稳定运行。
5. 低栅极电荷：减少开关损耗，提高整体效能。
6. 宽工作温度范围：从 -55℃ 到 +175℃，适应各种严苛环境。
CDR34BP272BKZPAT 广泛应用于以下领域：
1. DC-DC 转换器：在服务器电源、通信电源中实现高效的功率转换。
2. 电机驱动器：用于工业自动化设备中的高速电机控制。
3. 无线充电设备：提供高效的能量传输，支持大功率无线充电。
4. 工业电源：如焊接设备、激光电源等需要高功率密度和效率的场合。
5. 新能源汽车：用于车载充电器（OBC）、DC-DC 转换器以及逆变器等关键部件。
CDR34BP272BKMJPAK
CDR34BP272BKMPAP
