晶体管类型：NPN双极性晶体管
　　集电极-发射极电压（Vceo）：50V
　　集电极-基极电压（Vcbo）：50V
　　发射极-基极电压（Vebo）：5V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　功耗（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT-23（SC-59）
　　电流增益（hFE）：110（最小值）

LMUN2111LT1G(557200400011)是一款高度集成的双NPN晶体管阵列，具有优异的电气性能和稳定性。每个晶体管的集电极-发射极电压（Vceo）为50V，能够承受较高的电压应力，适合用于中等电压环境下的开关和放大应用。最大集电极电流为100mA，满足低功耗电路的设计需求。
　　该器件的电流增益（hFE）最低为110，具有较高的放大能力，适用于信号放大和开关控制。晶体管之间的匹配性良好，确保了在并联应用中的一致性。LMUN2111LT1G采用SOT-23（SC-59）封装，体积小巧，适合在空间受限的PCB布局中使用，并且具有良好的散热性能。
　　此外，该晶体管的工作温度范围为-55°C至150°C，能够在极端环境条件下稳定运行，适用于工业和汽车电子等高可靠性要求的应用场景。器件的功耗为300mW，具备良好的热稳定性和能效表现。

LMUN2111LT1G(557200400011)广泛应用于各种电子设备中，尤其适合需要双晶体管集成的电路设计。其典型应用包括信号放大器、逻辑电平转换、继电器驱动、LED驱动、电源管理以及开关控制电路。在消费电子产品中，该器件可用于音频放大器和传感器接口电路；在工业控制系统中，常用于驱动小型继电器和执行机构；在通信设备中，则可用于信号处理和放大。
　　由于其紧凑的封装形式和高性能参数，LMUN2111LT1G特别适合在便携式设备、智能家居控制器和嵌入式系统中使用。该器件还支持低功耗设计，能够有效延长电池供电设备的使用寿命。

BC847BS, 2N3904, BC547, MMBT3904