类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：30A
　　最大漏源电压（VDS）：500V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.17Ω（最大）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-247
　　功率耗散（PD）：200W

IXFN30N50具有多个高性能特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可降低导通损耗，提高整体系统效率。该器件的高电压和高电流处理能力使其适用于高压电源和工业电机控制等要求苛刻的环境。
　　此外，IXFN30N50采用了先进的平面技术，确保了在高电压下稳定工作的能力。其TO-247封装提供了良好的热管理和散热性能，有助于延长器件寿命并提高可靠性。
　　该MOSFET还具备良好的短路耐受能力，能够在突发负载或异常工作条件下保持稳定。栅极驱动电压范围宽，兼容标准MOSFET驱动器，便于集成到各种功率电路中。
　　为了提高系统的鲁棒性，IXFN30N50还具备较高的雪崩能量耐受能力，能够承受瞬时电压尖峰而不损坏。这种特性在电源开关和电机控制中尤为重要，有助于防止因电压突变引起的器件失效。

IXFN30N50广泛应用于各种高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、UPS不间断电源、工业电机驱动器和变频器等。在这些应用中，它用于高效地控制电流流动，实现快速开关操作，并减少能量损耗。
　　此外，该MOSFET也适用于太阳能逆变器和电动汽车充电设备等新能源技术领域。在这些系统中，IXFN30N50的高效能和高可靠性使其成为关键的功率开关元件。
　　由于其优异的热性能和耐用性，IXFN30N50也常用于高可靠性要求的工业自动化和控制系统中。它可以作为高电压负载的开关，控制大功率设备的运行状态，提高系统的稳定性和效率。

STP30NM50ND, IRFP460LC, FDPF30N50